Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
Studies are described of the characteristics of silicon diffusion resistors when subjected to current pulses with densities up to destructive levels. Transient processes during the switching of resistors were investigated. The obtained results made it possible to explain the characteristic features...
Saved in:
| Date: | 2005 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.5.23 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1862586826787651584 |
|---|---|
| author | Kushnirenko, V. V. Ninidze, G. K. Pavljuk, S. P. Konovalenko, L. D. |
| author_facet | Kushnirenko, V. V. Ninidze, G. K. Pavljuk, S. P. Konovalenko, L. D. |
| author_sort | Kushnirenko, V. V. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-15T10:21:28Z |
| description | Studies are described of the characteristics of silicon diffusion resistors when subjected to current pulses with densities up to destructive levels. Transient processes during the switching of resistors were investigated. The obtained results made it possible to explain the characteristic features of different sections of the current–voltage characteristics. A physical model is proposed that describes the regularities occurring in silicon resistors. |
| first_indexed | 2026-04-16T01:00:18Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1015 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-16T01:00:18Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-10152026-04-15T10:21:28Z Investigation of silicon diffusion resistors under high current density pulses Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности Kushnirenko, V. V. Ninidze, G. K. Pavljuk, S. P. Konovalenko, L. D. silicon resistor extreme currents oscillogram voltage current generator кремниевый резистор экстремальные токи осциллограмма напряжение генератор тока Studies are described of the characteristics of silicon diffusion resistors when subjected to current pulses with densities up to destructive levels. Transient processes during the switching of resistors were investigated. The obtained results made it possible to explain the characteristic features of different sections of the current–voltage characteristics. A physical model is proposed that describes the regularities occurring in silicon resistors. Описаны исследования характеристик кремниевых диффузионных резисторов при протекании через них импульсов тока с плотностью вплоть до разрушающей. Исследованы переходные процессы при включении резисторов. Полученные результаты позволили объяснить характерные особенности различных участков вольт-амперных характеристик. Предложена физическая модель, описывающая закономерности, происходящие в кремниевых резисторах. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005-10-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.5.23 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2005): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 23-26 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 23-26 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.5.23/925 Copyright (c) 2005 Kushnirenko V. V., Ninidze G. K. , Pavljuk S. P., Konovalenko L. D. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | кремниевый резистор экстремальные токи осциллограмма напряжение генератор тока Kushnirenko, V. V. Ninidze, G. K. Pavljuk, S. P. Konovalenko, L. D. Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности |
| title | Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности |
| title_alt | Investigation of silicon diffusion resistors under high current density pulses |
| title_full | Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности |
| title_fullStr | Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности |
| title_full_unstemmed | Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности |
| title_short | Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности |
| title_sort | исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности |
| topic | кремниевый резистор экстремальные токи осциллограмма напряжение генератор тока |
| topic_facet | silicon resistor extreme currents oscillogram voltage current generator кремниевый резистор экстремальные токи осциллограмма напряжение генератор тока |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.5.23 |
| work_keys_str_mv | AT kushnirenkovv investigationofsilicondiffusionresistorsunderhighcurrentdensitypulses AT ninidzegk investigationofsilicondiffusionresistorsunderhighcurrentdensitypulses AT pavljuksp investigationofsilicondiffusionresistorsunderhighcurrentdensitypulses AT konovalenkold investigationofsilicondiffusionresistorsunderhighcurrentdensitypulses AT kushnirenkovv issledovaniekremnievyhdiffuzionnyhrezistorovpriprotekaniiimpulʹsatokabolʹšojplotnosti AT ninidzegk issledovaniekremnievyhdiffuzionnyhrezistorovpriprotekaniiimpulʹsatokabolʹšojplotnosti AT pavljuksp issledovaniekremnievyhdiffuzionnyhrezistorovpriprotekaniiimpulʹsatokabolʹšojplotnosti AT konovalenkold issledovaniekremnievyhdiffuzionnyhrezistorovpriprotekaniiimpulʹsatokabolʹšojplotnosti |