Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
Physico-technological limitations in the formation of various types of solid-state MOS structures within silicon VLSI and LSI are considered. The possibilities of improving their manufacturability are shown, based on self-aligned processes for forming thin-film structures, including the use of solid...
Saved in:
| Date: | 2005 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.5.42 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1862586828742197248 |
|---|---|
| author | Baranov, V. V. |
| author_facet | Baranov, V. V. |
| author_sort | Baranov, V. V. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-15T10:21:28Z |
| description | Physico-technological limitations in the formation of various types of solid-state MOS structures within silicon VLSI and LSI are considered. The possibilities of improving their manufacturability are shown, based on self-aligned processes for forming thin-film structures, including the use of solid-phase reactions of refractory transition metals with silicon under isothermal and pulsed thermal treatments, as well as the creation of DMOS transistors with a vertical structure, which are promising for high-power semiconductor devices. |
| first_indexed | 2026-04-16T01:00:20Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1020 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-16T01:00:20Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-10202026-04-15T10:21:28Z Technological prerequisites for the creation of MOS structures with small design rules Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами Baranov, V. V. physico-technological limitations self-aligned technology transition metals silicides solid-state MOS твердотельные структуры типа МОП физико-технологические ограничения самосовмещенная технология переходные металлы силициды Physico-technological limitations in the formation of various types of solid-state MOS structures within silicon VLSI and LSI are considered. The possibilities of improving their manufacturability are shown, based on self-aligned processes for forming thin-film structures, including the use of solid-phase reactions of refractory transition metals with silicon under isothermal and pulsed thermal treatments, as well as the creation of DMOS transistors with a vertical structure, which are promising for high-power semiconductor devices. Рассмотрены физико-технологические ограничения при формировании твердотельных МОП-структур различного типа в составе кремниевых БИС и СИС. Показаны возможности повышения их технологичности на основе самосовмещенных процессов формирования пленочных структур, в т. ч. при использовании твердофазных реакций тугоплавких переходных металлов с кремнием, протекающих в условиях изотермической и импульсной термообработок, а также создания ДМОП-транзисторов с вертикальной структурой, перспективной для мощных полупроводниковых приборов. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005-10-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.5.42 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2005): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 42-46 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 42-46 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.5.42/929 Copyright (c) 2005 V. V. Baranov http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | твердотельные структуры типа МОП физико-технологические ограничения самосовмещенная технология переходные металлы силициды Baranov, V. V. Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами |
| title | Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами |
| title_alt | Technological prerequisites for the creation of MOS structures with small design rules |
| title_full | Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами |
| title_fullStr | Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами |
| title_full_unstemmed | Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами |
| title_short | Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами |
| title_sort | технологические предпосылки создания моп-структур с малыми проектными нормами |
| topic | твердотельные структуры типа МОП физико-технологические ограничения самосовмещенная технология переходные металлы силициды |
| topic_facet | physico-technological limitations self-aligned technology transition metals silicides solid-state MOS твердотельные структуры типа МОП физико-технологические ограничения самосовмещенная технология переходные металлы силициды |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.5.42 |
| work_keys_str_mv | AT baranovvv technologicalprerequisitesforthecreationofmosstructureswithsmalldesignrules AT baranovvv tehnologičeskiepredposylkisozdaniâmopstruktursmalymiproektnyminormami |