Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
Physico-technological limitations in the formation of various types of solid-state MOS structures within silicon VLSI and LSI are considered. The possibilities of improving their manufacturability are shown, based on self-aligned processes for forming thin-film structures, including the use of solid...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.5.42 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |