Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами

Physico-technological limitations in the formation of various types of solid-state MOS structures within silicon VLSI and LSI are considered. The possibilities of improving their manufacturability are shown, based on self-aligned processes for forming thin-film structures, including the use of solid...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2005
Автор: Baranov, V. V.
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.5.42
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment