Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
The influence of γ‑irradiation (60Co) on the photoelectric parameters of InSe diodes has been investigated. Irradiation at doses of 10–300 R leads to an increase in the values of the current rectification coefficient, open‑circuit voltage, and short‑circuit current, while practically not affecting t...
Gespeichert in:
| Datum: | 2005 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.5.47 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1862586828857540608 |
|---|---|
| author | Kovalyuk, Z. D. Katerinchuk, V. N. Politanskaya, O. A. Sidor, O. N. |
| author_facet | Kovalyuk, Z. D. Katerinchuk, V. N. Politanskaya, O. A. Sidor, O. N. |
| author_sort | Kovalyuk, Z. D. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-15T10:21:28Z |
| description | The influence of γ‑irradiation (60Co) on the photoelectric parameters of InSe diodes has been investigated. Irradiation at doses of 10–300 R leads to an increase in the values of the current rectification coefficient, open‑circuit voltage, and short‑circuit current, while practically not affecting the spectral distribution of the photoresponse. No destructive effect on the p‑n junction boundary was observed. It is shown that p‑n‑InSe and oxide‑p‑InSe photodiodes can be operated under conditions of elevated radiation background. |
| first_indexed | 2026-04-16T01:00:20Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1021 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-16T01:00:20Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-10212026-04-15T10:21:28Z Influence of gamma irradiation on the photoelectric parameters of InSe heterostructures Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур Kovalyuk, Z. D. Katerinchuk, V. N. Politanskaya, O. A. Sidor, O. N. gamma irradiation photodiode p‑n‑InSe oxide‑p‑InSe гамма-облучение фотодиод p-n-InSe оксид-p-InSe The influence of γ‑irradiation (60Co) on the photoelectric parameters of InSe diodes has been investigated. Irradiation at doses of 10–300 R leads to an increase in the values of the current rectification coefficient, open‑circuit voltage, and short‑circuit current, while practically not affecting the spectral distribution of the photoresponse. No destructive effect on the p‑n junction boundary was observed. It is shown that p‑n‑InSe and oxide‑p‑InSe photodiodes can be operated under conditions of elevated radiation background. Исследовано влияние γ-облучения (60Co) на фотоэлектрические параметры InSe-диодов. Облучение в дозах 10-300 Р приводит к увеличению значений коэффициента выпрямления тока, напряжения холостого хода и тока короткого замыкания, и практически не влияет на спектральное распределение фотоответа. Деструктивного влияния на границу p-n-перехода зафиксировано не было. Показано, что фотодиоды р-n-InSe и окисел-р-InSe могут эксплуатироваться в условиях повышенного радиационного фона. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005-10-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.5.47 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2005): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 47-48 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 47-48 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.5.47/930 Copyright (c) 2005 Kovalyuk Z. D., Katerinchuk V. N., Politanskaya O. A., Sidor O. N. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | гамма-облучение фотодиод p-n-InSe оксид-p-InSe Kovalyuk, Z. D. Katerinchuk, V. N. Politanskaya, O. A. Sidor, O. N. Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур |
| title | Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур |
| title_alt | Influence of gamma irradiation on the photoelectric parameters of InSe heterostructures |
| title_full | Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур |
| title_fullStr | Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур |
| title_full_unstemmed | Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур |
| title_short | Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур |
| title_sort | влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры inse-гетероструктур |
| topic | гамма-облучение фотодиод p-n-InSe оксид-p-InSe |
| topic_facet | gamma irradiation photodiode p‑n‑InSe oxide‑p‑InSe гамма-облучение фотодиод p-n-InSe оксид-p-InSe |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.5.47 |
| work_keys_str_mv | AT kovalyukzd influenceofgammairradiationonthephotoelectricparametersofinseheterostructures AT katerinchukvn influenceofgammairradiationonthephotoelectricparametersofinseheterostructures AT politanskayaoa influenceofgammairradiationonthephotoelectricparametersofinseheterostructures AT sidoron influenceofgammairradiationonthephotoelectricparametersofinseheterostructures AT kovalyukzd vliâniegammaoblučeniânafotoélektričeskieparametryinsegeterostruktur AT katerinchukvn vliâniegammaoblučeniânafotoélektričeskieparametryinsegeterostruktur AT politanskayaoa vliâniegammaoblučeniânafotoélektričeskieparametryinsegeterostruktur AT sidoron vliâniegammaoblučeniânafotoélektričeskieparametryinsegeterostruktur |