Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4
The capacitance–voltage characteristics of n(p)-HgCdTe/SiO2/Si3N4 and n(p)-HgCdTe/anodic oxide film MIS structures have been experimentally investigated at different frequencies and voltage sweep directions. Specific features of electrophysical characteristics have been identified, associated with t...
Gespeichert in:
| Datum: | 2005 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.4.35 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1863674023402012672 |
|---|---|
| author | Voitsekhovskii, A. V. Nesmelov, S. N. Kulchitskii, N. A. |
| author_facet | Voitsekhovskii, A. V. Nesmelov, S. N. Kulchitskii, N. A. |
| author_sort | Voitsekhovskii, A. V. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-27T20:05:22Z |
| description | The capacitance–voltage characteristics of n(p)-HgCdTe/SiO2/Si3N4 and n(p)-HgCdTe/anodic oxide film MIS structures have been experimentally investigated at different frequencies and voltage sweep directions. Specific features of electrophysical characteristics have been identified, associated with the bulk resistance of the epitaxial film and the presence of near-surface variband layers. It has been shown that the use of a two-layer dielectric SiO2/Si3N4 is promising for surface passivation of matrix HgCdTe photodiodes for the infrared range.
  |
| first_indexed | 2026-04-28T01:00:50Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1033 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-28T01:00:50Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-10332026-04-27T20:05:22Z Capacitance properties of MIS structures HgCdTe/SiO2/Si3N4 Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4 Voitsekhovskii, A. V. Nesmelov, S. N. Kulchitskii, N. A. MIS structures HgCdTe capacitance–voltage characteristics variband layers МДП-структуры HgCdTe вольт-фарадные характеристики варизонные слои The capacitance–voltage characteristics of n(p)-HgCdTe/SiO2/Si3N4 and n(p)-HgCdTe/anodic oxide film MIS structures have been experimentally investigated at different frequencies and voltage sweep directions. Specific features of electrophysical characteristics have been identified, associated with the bulk resistance of the epitaxial film and the presence of near-surface variband layers. It has been shown that the use of a two-layer dielectric SiO2/Si3N4 is promising for surface passivation of matrix HgCdTe photodiodes for the infrared range.   Экспериментально исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур n(p)-HgCdTe/SiO2/Si3N4 и n(p)-HgCdTe/анодно-окисная пленка при различных частотах и направлениях развертки напряжения. Установлены особенности электрофизических характеристик, связанные с сопротивлением объема эпитаксиальной пленки и наличием приповерхностных варизонных слоев. Показано, что использование двухслойного диэлектрика SiO2/Si3N4 перспективно для пассивации поверхности матричных HgCdTe-фотодиодов для инфракрасного диапазона. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005-08-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.4.35 Technology and design in electronic equipment; No. 4 (2005): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 35-38 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 35-38 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.4.35/948 Copyright (c) 2005 A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, N. A. Kulchitskii http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | МДП-структуры HgCdTe вольт-фарадные характеристики варизонные слои Voitsekhovskii, A. V. Nesmelov, S. N. Kulchitskii, N. A. Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4 |
| title | Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4 |
| title_alt | Capacitance properties of MIS structures HgCdTe/SiO2/Si3N4 |
| title_full | Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4 |
| title_fullStr | Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4 |
| title_full_unstemmed | Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4 |
| title_short | Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4 |
| title_sort | емкостные свойства мдп-структур hgcdte/sio2/si3n4 |
| topic | МДП-структуры HgCdTe вольт-фарадные характеристики варизонные слои |
| topic_facet | MIS structures HgCdTe capacitance–voltage characteristics variband layers МДП-структуры HgCdTe вольт-фарадные характеристики варизонные слои |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.4.35 |
| work_keys_str_mv | AT voitsekhovskiiav capacitancepropertiesofmisstructureshgcdtesio2si3n4 AT nesmelovsn capacitancepropertiesofmisstructureshgcdtesio2si3n4 AT kulchitskiina capacitancepropertiesofmisstructureshgcdtesio2si3n4 AT voitsekhovskiiav emkostnyesvojstvamdpstrukturhgcdtesio2si3n4 AT nesmelovsn emkostnyesvojstvamdpstrukturhgcdtesio2si3n4 AT kulchitskiina emkostnyesvojstvamdpstrukturhgcdtesio2si3n4 |