Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
Au–nSi–Al structures with oppositely connected rectifying junctions and Au–nSi structures with protective high-resistance layers overlapping the metal have been obtained. It is shown that the photosensitivity of the Au–nSi–Al structure in the short-wavelength region is nearly an order of magnitude...
Saved in:
| Date: | 2005 |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.4.39 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1863674023377895424 |
|---|---|
| author | Yodgorova, D. M. Yakubov, E. N. |
| author_facet | Yodgorova, D. M. Yakubov, E. N. |
| author_sort | Yodgorova, D. M. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-27T20:05:22Z |
| description |
Au–nSi–Al structures with oppositely connected rectifying junctions and Au–nSi structures with protective high-resistance layers overlapping the metal have been obtained. It is shown that the photosensitivity of the Au–nSi–Al structure in the short-wavelength region is nearly an order of magnitude higher than in the visible spectral region. The creation of an active layer from a higher-resistance near-surface region in the Au–nSi structure, along with the expansion of the spectral range, enhances its photosensitivity. The obtained structures are of interest for optical signal detection.
|
| first_indexed | 2026-04-28T01:00:50Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1034 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-28T01:00:50Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-10342026-04-27T20:05:22Z Optical signal detectors based on Au–nSi–Al and Au–nSi structures Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi Yodgorova, D. M. Yakubov, E. N. structure photosensitivity double-barrier silicon структура фоточувствительность двухбарьерный кремний Au–nSi–Al structures with oppositely connected rectifying junctions and Au–nSi structures with protective high-resistance layers overlapping the metal have been obtained. It is shown that the photosensitivity of the Au–nSi–Al structure in the short-wavelength region is nearly an order of magnitude higher than in the visible spectral region. The creation of an active layer from a higher-resistance near-surface region in the Au–nSi structure, along with the expansion of the spectral range, enhances its photosensitivity. The obtained structures are of interest for optical signal detection. Получены Au-nSi-Al-структуры с встречновключенными выпрямляющими переходами и Au-nSi-структуры с охранными высокоомными слоями с перекрытием металла. Показано, что фоточувствительность Au-nSi-Al-структуры в коротковолновой области почти на порядок больше, чем в видимой области спектра. Создание в приповерхностной области Au-nSi-структуры активного слоя из более высокоомного слоя наряду с расширением спектрального диапазона повышает ее фоточувствительность. Полученные структуры представляют интерес для детектирования оптических сигналов. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005-08-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.4.39 Technology and design in electronic equipment; No. 4 (2005): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 39-42 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 39-42 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.4.39/941 Copyright (c) 2005 D. M. Yodgorova, E. N. Yakubov http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | структура фоточувствительность двухбарьерный кремний Yodgorova, D. M. Yakubov, E. N. Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi |
| title | Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi |
| title_alt | Optical signal detectors based on Au–nSi–Al and Au–nSi structures |
| title_full | Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi |
| title_fullStr | Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi |
| title_full_unstemmed | Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi |
| title_short | Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi |
| title_sort | детекторы оптического сигнала на основе структур au-nsi-al, au-nsi |
| topic | структура фоточувствительность двухбарьерный кремний |
| topic_facet | structure photosensitivity double-barrier silicon структура фоточувствительность двухбарьерный кремний |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.4.39 |
| work_keys_str_mv | AT yodgorovadm opticalsignaldetectorsbasedonaunsialandaunsistructures AT yakuboven opticalsignaldetectorsbasedonaunsialandaunsistructures AT yodgorovadm detektoryoptičeskogosignalanaosnovestrukturaunsialaunsi AT yakuboven detektoryoptičeskogosignalanaosnovestrukturaunsialaunsi |