Buchumschlag

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi

Au–nSi–Al structures with oppositely connected rectifying junctions and Au–nSi structures with protective high-resistance layers overlapping the metal have been obtained. It is shown that the photosensitivity of the Au–nSi–Al structure in the short-wavelength region is nearly an order of magnitude...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2005
Hauptverfasser:	Yodgorova, D. M., Yakubov, E. N.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005
Schlagworte:	структура фоточувствительность двухбарьерный кремний
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.4.39
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n+CdS heterostructures
von: I. B. Sapaev
Veröffentlicht: (2013)

The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures
von: Sapaev, I.B.
Veröffentlicht: (2013)

Поверхнева фото-ерс структур Au−C60−Si
von: Kozachenko, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
von: Melebayev, D., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Temperature dependence of contact resistance of Au Ti Pd2Si n+-Si ohmic contacts
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Микростриповые детекторы на основе N-кремния ЗТМК
von: Кулибаба, В.И., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
von: V. V. Basanets, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Peculiarities of study of Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
von: P. M. Romanets, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
von: Romanets, P.M., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si in IMPATT diodes
von: P. M. Romanets, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n⁺-n-n⁺-Si in IMPATT diodes
von: Romanets, P.M., et al.
Veröffentlicht: (2016)

SiO₂/Au core-shell nanoparticles: synthesis and characterization
von: Matveevskaya, N.A., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Басанец, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
von: Yodgorova, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Photocatalysis and optical properties of ZnO nanostructures grown by MOCVD on Si, Au/Si and Ag/Si wafers
von: V. A. Karpyna, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений
von: Pagava, T. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Получение, структура и свойства гетеронаночастиц SiO2/Au
von: Матвеевская, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p–n–m-структурах
von: Yodgorova, D. М., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры
von: Бузруков, У. М.
Veröffentlicht: (2005)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
von: Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au-Ti-Pd₂Si-p⁺ ₋Si ohmic contacts
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Basanets, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Catalytic activity of SiO₂/Au heteronanoparticles in hydrogen peroxide decomposition reaction
von: Matveevskaya, N.A., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Газостатическая обработка структур Au-CdZnTe-Au для детекторов рентгеновского и гамма-излучения
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au Ti Pd2Si p+-Si ohmic contacts
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2002)

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Влияние Au на формирование фазы L1₀ в наноразмерных плёнках [Fe₅₀Pt₅₀/Au/Fe₅₀Pt₅₀]n
von: Вербицкая, М.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN
von: Кудрик, Р.Я.
Veröffentlicht: (2015)

Research of photo-sensitive 2-barrier pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-structure
von: U. M. Buzrukov
Veröffentlicht: (2005)

Фотокаталіз та оптичні властивості наноструктур ZnO, вирощених на пластинах Si, Au/Si та Ag/Si методом MOCVD
von: Karpyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Efficient core-SiO₂/shell-Au nanostructures for surface enhanced Raman scattering
von: Yukhymchuk, V.O., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)