Получение наноструктурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике
The design features of the sputtering system in a magnetron sputtering installation and the conditions for forming AlN and ZnO films with controlled composition and crystalline phase structure are considered. The conditions for obtaining and the operational characteristics of layered structures in...
Gespeichert in:
| Datum: | 2005 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.4.46 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1863674023369506816 |
|---|---|
| author | Belyanin, A. F. Samoylovich, M. I. Kovalskiy, K. A. Petukhov, K. Yu. |
| author_facet | Belyanin, A. F. Samoylovich, M. I. Kovalskiy, K. A. Petukhov, K. Yu. |
| author_sort | Belyanin, A. F. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-27T20:05:22Z |
| description |
The design features of the sputtering system in a magnetron sputtering installation and the conditions for forming AlN and ZnO films with controlled composition and crystalline phase structure are considered. The conditions for obtaining and the operational characteristics of layered structures including AlN, ZnO, diamond, and diamond-like carbon layers are demonstrated in their application to acoustic and emission electronics.
  |
| first_indexed | 2026-04-28T01:00:50Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1036 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-28T01:00:50Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-10362026-04-27T20:05:22Z Fabrication of nanostructured AlN and ZnO films and their application in electronic engineering Получение наноструктурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике Belyanin, A. F. Samoylovich, M. I. Kovalskiy, K. A. Petukhov, K. Yu. nanomaterials magnetron sputtering layered structures acoustic and emission electronics наноматериалы магнетронное распыление слоистые структуры акусто- и эмиссионная электроника The design features of the sputtering system in a magnetron sputtering installation and the conditions for forming AlN and ZnO films with controlled composition and crystalline phase structure are considered. The conditions for obtaining and the operational characteristics of layered structures including AlN, ZnO, diamond, and diamond-like carbon layers are demonstrated in their application to acoustic and emission electronics.   Рассмотрены конструктивные особенности распылительной системы установки магнетронного распыления и условия формирования пленок AlN и ZnO с контролируемым содержанием и строением кристаллической фазы. Показаны условия получения и эксплуатационные характеристики слоистых структур, включающих слои AlN, ZnO, алмаза и алмазоподобного углерода, при их применении в акусто- и эмиссионной электронике. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005-08-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.4.46 Technology and design in electronic equipment; No. 4 (2005): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 46-54 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 46-54 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.4.46/943 Copyright (c) 2005 A. F. Belyanin., M. I. Samoylovich, K. A. Kovalskiy, K. Yu. Petukhov http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | наноматериалы магнетронное распыление слоистые структуры акусто- и эмиссионная электроника Belyanin, A. F. Samoylovich, M. I. Kovalskiy, K. A. Petukhov, K. Yu. Получение наноструктурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике |
| title | Получение наноструктурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике |
| title_alt | Fabrication of nanostructured AlN and ZnO films and their application in electronic engineering |
| title_full | Получение наноструктурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике |
| title_fullStr | Получение наноструктурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике |
| title_full_unstemmed | Получение наноструктурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике |
| title_short | Получение наноструктурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике |
| title_sort | получение наноструктурированных пленок aln и zno и их применение в электронной технике |
| topic | наноматериалы магнетронное распыление слоистые структуры акусто- и эмиссионная электроника |
| topic_facet | nanomaterials magnetron sputtering layered structures acoustic and emission electronics наноматериалы магнетронное распыление слоистые структуры акусто- и эмиссионная электроника |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.4.46 |
| work_keys_str_mv | AT belyaninaf fabricationofnanostructuredalnandznofilmsandtheirapplicationinelectronicengineering AT samoylovichmi fabricationofnanostructuredalnandznofilmsandtheirapplicationinelectronicengineering AT kovalskiyka fabricationofnanostructuredalnandznofilmsandtheirapplicationinelectronicengineering AT petukhovkyu fabricationofnanostructuredalnandznofilmsandtheirapplicationinelectronicengineering AT belyaninaf polučenienanostrukturirovannyhplenokalniznoiihprimenenievélektronnojtehnike AT samoylovichmi polučenienanostrukturirovannyhplenokalniznoiihprimenenievélektronnojtehnike AT kovalskiyka polučenienanostrukturirovannyhplenokalniznoiihprimenenievélektronnojtehnike AT petukhovkyu polučenienanostrukturirovannyhplenokalniznoiihprimenenievélektronnojtehnike |