Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
A technology is proposed for forming transition layers of palladium silicide through a solid-phase reaction of a palladium film with a silicon substrate directly during deposition, without the need for subsequent thermal treatment. Studies of the elemental composition and crystalline structure of...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.4.55 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1863674025321955328 |
|---|---|
| author | Anufriev, L. P. Baranov, V. V. Solovjov, J. A. Tarasikov, M. V. |
| author_facet | Anufriev, L. P. Baranov, V. V. Solovjov, J. A. Tarasikov, M. V. |
| author_sort | Anufriev, L. P. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-27T20:05:22Z |
| description |
A technology is proposed for forming transition layers of palladium silicide through a solid-phase reaction of a palladium film with a silicon substrate directly during deposition, without the need for subsequent thermal treatment. Studies of the elemental composition and crystalline structure of the obtained silicide layers have been carried out, and the barrier height to n-type silicon has been measured. The possibility of using the resulting palladium silicide layers for the fabrication of high-power Schottky diodes has been demonstrated.
|
| first_indexed | 2026-04-28T01:00:52Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1037 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-28T01:00:52Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-10372026-04-27T20:05:22Z Technology for producing palladium silicide films for high-power Schottky diodes Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки Anufriev, L. P. Baranov, V. V. Solovjov, J. A. Tarasikov, M. V. Schottky diodes palladium silicide thermal evaporation current–voltage characteristics диоды Шоттки силицид палладия термическое испарение вольт-амперные характеристики A technology is proposed for forming transition layers of palladium silicide through a solid-phase reaction of a palladium film with a silicon substrate directly during deposition, without the need for subsequent thermal treatment. Studies of the elemental composition and crystalline structure of the obtained silicide layers have been carried out, and the barrier height to n-type silicon has been measured. The possibility of using the resulting palladium silicide layers for the fabrication of high-power Schottky diodes has been demonstrated. Предложена технология формирования переходных слоев силицида палладия твердофазной реакцией пленки палладия с кремниевой подложкой непосредственно в процессе напыления без применения последующей термообработки. Проведены исследования элементного состава и кристаллической структуры полученных слоев силицида, измерена высота потенциального барьера к кремнию n-типа. Показана возможность применения полученных слоев силицидов палладия для изготовления мощных диодов Шоттки. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005-08-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.4.55 Technology and design in electronic equipment; No. 4 (2005): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 55-56 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 55-56 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.4.55/944 Copyright (c) 2005 Anufriev L. P., Baranov V. V., Solovjov J. A., Tarasikov M. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | диоды Шоттки силицид палладия термическое испарение вольт-амперные характеристики Anufriev, L. P. Baranov, V. V. Solovjov, J. A. Tarasikov, M. V. Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки |
| title | Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки |
| title_alt | Technology for producing palladium silicide films for high-power Schottky diodes |
| title_full | Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки |
| title_fullStr | Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки |
| title_full_unstemmed | Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки |
| title_short | Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки |
| title_sort | технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов шоттки |
| topic | диоды Шоттки силицид палладия термическое испарение вольт-амперные характеристики |
| topic_facet | Schottky diodes palladium silicide thermal evaporation current–voltage characteristics диоды Шоттки силицид палладия термическое испарение вольт-амперные характеристики |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.4.55 |
| work_keys_str_mv | AT anufrievlp technologyforproducingpalladiumsilicidefilmsforhighpowerschottkydiodes AT baranovvv technologyforproducingpalladiumsilicidefilmsforhighpowerschottkydiodes AT solovjovja technologyforproducingpalladiumsilicidefilmsforhighpowerschottkydiodes AT tarasikovmv technologyforproducingpalladiumsilicidefilmsforhighpowerschottkydiodes AT anufrievlp tehnologiâpolučeniâplenoksilicidapalladiâdlâmoŝnyhdiodovšottki AT baranovvv tehnologiâpolučeniâplenoksilicidapalladiâdlâmoŝnyhdiodovšottki AT solovjovja tehnologiâpolučeniâplenoksilicidapalladiâdlâmoŝnyhdiodovšottki AT tarasikovmv tehnologiâpolučeniâplenoksilicidapalladiâdlâmoŝnyhdiodovšottki |