Bonchyk, A. Y., Izhnin, I. I., Kyjak, S. G., & Savytsky, G. V. (2005). Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs: Si. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Bonchyk, A. Yu., I. I. Izhnin, S. G. Kyjak, und G. V. Savytsky. Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев N-GaAs: Si. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers, 2005.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Bonchyk, A. Yu., et al. Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев N-GaAs: Si. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers, 2005.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.