Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
The paper presents the results of studies on the influence of ion implantation regimes and pulsed incoherent photon annealing on the parameters of Si-implanted n-GaAs layers grown on semi-insulating GaAs substrates. The obtained layers are characterized by the following parameters: thickness of 0.1–...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.03 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1863855184629727232 |
|---|---|
| author | Bonchyk, A. Yu. Izhnin, I. I. Kyjak, S. G. Savytsky, G. V. |
| author_facet | Bonchyk, A. Yu. Izhnin, I. I. Kyjak, S. G. Savytsky, G. V. |
| author_sort | Bonchyk, A. Yu. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-29T08:08:45Z |
| description | The paper presents the results of studies on the influence of ion implantation regimes and pulsed incoherent photon annealing on the parameters of Si-implanted n-GaAs layers grown on semi-insulating GaAs substrates. The obtained layers are characterized by the following parameters: thickness of 0.1–0.3 μm, electron concentration of 1017–1018 cm−3, and mobility of 2000–3000 cm2/(V·s). |
| first_indexed | 2026-04-30T01:00:19Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1041 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-30T01:00:19Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-10412026-04-29T08:08:45Z Influence of ion implantation and photon annealing regimes on the parameters of implanted n-GaAs:Si layers Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si Bonchyk, A. Yu. Izhnin, I. I. Kyjak, S. G. Savytsky, G. V. GaAs ion implantation photon annealing carrier concentration dopant activation GaAs ионная имплантация фотонный отжиг концентрация носителей активность примеси The paper presents the results of studies on the influence of ion implantation regimes and pulsed incoherent photon annealing on the parameters of Si-implanted n-GaAs layers grown on semi-insulating GaAs substrates. The obtained layers are characterized by the following parameters: thickness of 0.1–0.3 μm, electron concentration of 1017–1018 cm−3, and mobility of 2000–3000 cm2/(V·s). Представлены результаты исследований влияния режимов ионной имплантации и импульсного некогерентного фотонного отжига на параметры имплантированных Si слоев n-GaAs на подложках полуизолирующего GaAs. Полученные слои характеризуются следующими параметрами: толщина 0,1-0,3 мкм, концентрация электронов 1017–1018 см-3, подвижность 2000–3000 см2/(В·с). PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.03 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2005): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 3-4 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 3-4 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.03/950 Copyright (c) 2005 Bonchyk A. Yu., Izhnin I. I., Kyjak S. G., Savytsky G. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | GaAs ионная имплантация фотонный отжиг концентрация носителей активность примеси Bonchyk, A. Yu. Izhnin, I. I. Kyjak, S. G. Savytsky, G. V. Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si |
| title | Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si |
| title_alt | Influence of ion implantation and photon annealing regimes on the parameters of implanted n-GaAs:Si layers |
| title_full | Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si |
| title_fullStr | Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si |
| title_full_unstemmed | Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si |
| title_short | Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si |
| title_sort | влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-gaas:si |
| topic | GaAs ионная имплантация фотонный отжиг концентрация носителей активность примеси |
| topic_facet | GaAs ion implantation photon annealing carrier concentration dopant activation GaAs ионная имплантация фотонный отжиг концентрация носителей активность примеси |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.03 |
| work_keys_str_mv | AT bonchykayu influenceofionimplantationandphotonannealingregimesontheparametersofimplantedngaassilayers AT izhninii influenceofionimplantationandphotonannealingregimesontheparametersofimplantedngaassilayers AT kyjaksg influenceofionimplantationandphotonannealingregimesontheparametersofimplantedngaassilayers AT savytskygv influenceofionimplantationandphotonannealingregimesontheparametersofimplantedngaassilayers AT bonchykayu vliânierežimovionnogolegirovaniâifotonnogootžiganaparametryimplantirovannyhsloevngaassi AT izhninii vliânierežimovionnogolegirovaniâifotonnogootžiganaparametryimplantirovannyhsloevngaassi AT kyjaksg vliânierežimovionnogolegirovaniâifotonnogootžiganaparametryimplantirovannyhsloevngaassi AT savytskygv vliânierežimovionnogolegirovaniâifotonnogootžiganaparametryimplantirovannyhsloevngaassi |