Buchumschlag

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si

The paper presents the results of studies on the influence of ion implantation regimes and pulsed incoherent photon annealing on the parameters of Si-implanted n-GaAs layers grown on semi-insulating GaAs substrates. The obtained layers are characterized by the following parameters: thickness of 0.1–...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2005
Hauptverfasser:	Bonchyk, A. Yu., Izhnin, I. I., Kyjak, S. G., Savytsky, G. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005
Schlagworte:	GaAs ионная имплантация фотонный отжиг концентрация носителей активность примеси
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.03
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
von: Бончик, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Технология создания легированных бором слоев на алмазе
von: Zyablyuk, K. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Гибридный автодинный сенсор магнитного резонанса
von: Brajilovskyj, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
von: Kovachov, S. S., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”
von: Савицкий, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Исследование собственных и примесных точечных дефектов в сапфировых подложках люминесцентными методами
von: Bletskan, D. I., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
von: Konakova, R. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100)
von: Gentsar, P. O., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання
von: Mollaamin, F.
Veröffentlicht: (2025)

БИОПРЕПАРАТЫ ФИТОЗАЩИТНОГО НАЗНАЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ ЭНТОМОПАТОГЕНОВ BACILLUS THURINGIENSIS
von: Патыка , Т.И.
Veröffentlicht: (2010)

Рафинирование Cd и Zn от примесей внедрения при дистилляции с геттерным фильтром ZrFe
von: Kondrik, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості
von: Veleschuk, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
von: Stempitsky, V. R., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Повышение адгезионной прочности никелевых контактов ветвей термоэлектрических модулей
von: Asheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Нанесение тонких пленок в вакууме на подложки из синтетического опала
von: Panfilov, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Компьютерное моделирование профилей имплантированных ионов Al⁺ в наноструктурную пленку Cu
von: Павленко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
von: Boledzyuk, V. B., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Резонансная прозрачность фотонного кристалла с дефектом в виде слоистого сверхпроводника
von: Апостолов, C.C., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ
von: Туркевич, В. З., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Коррекция скоростного разреза методом имитации отжига
von: Лазаренко, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Масс-спектрометр вторичных нейтралей на базе ионного имплантера
von: Батурин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Исследование процессов износостойкого поверхностного легирования
von: Ковальчук, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

ВОДНЫЕ БИОКОСНЫЕ ФИТОСИСТЕМЫ ПРИРОДНОГО И АНТРОПОГЕННОГО ПРОИСХОЖДЕНИЯ (СТРУКТУРНОЕ СОПОСТАВЛЕНИЕ)
von: Празукин, А. В.
Veröffentlicht: (2023)

Оптимизация плотности сильноточного ионного пучка для линейного индукционного ускорителя
von: Карась, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Установка для нанесения покрытий методом атомно-ионного распыления материалов
von: Батурин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Проводимость водных сред как альтернатива электронного и ионного переноса
von: Першина, Е.Д., et al.
Veröffentlicht: (2008)