Зображення обкладинки

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si

The paper presents the results of studies on the influence of ion implantation regimes and pulsed incoherent photon annealing on the parameters of Si-implanted n-GaAs layers grown on semi-insulating GaAs substrates. The obtained layers are characterized by the following parameters: thickness of 0.1–...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2005
Автори:	Bonchyk, A. Yu., Izhnin, I. I., Kyjak, S. G., Savytsky, G. V.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005
Теми:	GaAs ионная имплантация фотонный отжиг концентрация носителей активность примеси
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.03
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)

Технология создания легированных бором слоев на алмазе
за авторством: Zyablyuk, K. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2005)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Гибридный автодинный сенсор магнитного резонанса
за авторством: Brajilovskyj, V. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)

Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”
за авторством: Савицкий, Г.В., та інші
Опубліковано: (2002)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
за авторством: Dranchuk, S. N., та інші
Опубліковано: (2013)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование собственных и примесных точечных дефектов в сапфировых подложках люминесцентными методами
за авторством: Bletskan, D. I., та інші
Опубліковано: (2006)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
за авторством: Konakova, R. V., та інші
Опубліковано: (2010)

Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100)
за авторством: Gentsar, P. O., та інші
Опубліковано: (2018)

Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання
за авторством: Mollaamin, F.
Опубліковано: (2025)

БИОПРЕПАРАТЫ ФИТОЗАЩИТНОГО НАЗНАЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ ЭНТОМОПАТОГЕНОВ BACILLUS THURINGIENSIS
за авторством: Патыка , Т.И.
Опубліковано: (2010)

Рафинирование Cd и Zn от примесей внедрения при дистилляции с геттерным фильтром ZrFe
за авторством: Kondrik, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)

Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості
за авторством: Veleschuk, V. P., та інші
Опубліковано: (2017)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
за авторством: Stempitsky, V. R., та інші
Опубліковано: (2017)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)

Повышение адгезионной прочности никелевых контактов ветвей термоэлектрических модулей
за авторством: Asheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2006)

Нанесение тонких пленок в вакууме на подложки из синтетического опала
за авторством: Panfilov, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2005)

Компьютерное моделирование профилей имплантированных ионов Al⁺ в наноструктурную пленку Cu
за авторством: Павленко, В.И., та інші
Опубліковано: (2017)

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
за авторством: Boledzyuk, V. B., та інші
Опубліковано: (2018)

Резонансная прозрачность фотонного кристалла с дефектом в виде слоистого сверхпроводника
за авторством: Апостолов, C.C., та інші
Опубліковано: (2017)

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ
за авторством: Туркевич, В. З., та інші
Опубліковано: (2022)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2007)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)

Коррекция скоростного разреза методом имитации отжига
за авторством: Лазаренко, М.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Масс-спектрометр вторичных нейтралей на базе ионного имплантера
за авторством: Батурин, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование процессов износостойкого поверхностного легирования
за авторством: Ковальчук, А.Г., та інші
Опубліковано: (2017)

ВОДНЫЕ БИОКОСНЫЕ ФИТОСИСТЕМЫ ПРИРОДНОГО И АНТРОПОГЕННОГО ПРОИСХОЖДЕНИЯ (СТРУКТУРНОЕ СОПОСТАВЛЕНИЕ)
за авторством: Празукин, А. В.
Опубліковано: (2023)

Процеси кристалізації тонких полікристалічних шарів стибніту галію для термофотовольтаїчного застосування
за авторством: Bahanov, Yevgen, та інші
Опубліковано: (2022)

Оптимизация плотности сильноточного ионного пучка для линейного индукционного ускорителя
за авторством: Карась, В.И., та інші
Опубліковано: (2012)

Установка для нанесения покрытий методом атомно-ионного распыления материалов
за авторством: Батурин, В.А., та інші
Опубліковано: (2012)