Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
The effect of heat treatment (HT) on the electrophysical properties of γ-ray detectors based on a p-type CdZnTe semiconductor compound was investigated. The optimal HT conditions were determined. It was shown that the application of HT allows for a significant reduction in leakage current and an inc...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.12 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1863855184659087360 |
|---|---|
| author | Kutniy, V. E. Kutniy, D. V. Rybka, A. V. Abyzov, A. S. Davydov, L. N. Nakonechny, D. V. Shlyakhov, I. N. |
| author_facet | Kutniy, V. E. Kutniy, D. V. Rybka, A. V. Abyzov, A. S. Davydov, L. N. Nakonechny, D. V. Shlyakhov, I. N. |
| author_sort | Kutniy, V. E. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-29T08:08:45Z |
| description | The effect of heat treatment (HT) on the electrophysical properties of γ-ray detectors based on a p-type CdZnTe semiconductor compound was investigated. The optimal HT conditions were determined. It was shown that the application of HT allows for a significant reduction in leakage current and an increase in operating voltage, which contributes to an improvement in the spectrometric characteristics of the detector. Experimental results are presented demonstrating that the change in the detector’s characteristics is largely due to modification of the metal-semiconductor interface rather than changes in the properties of the side surface. |
| first_indexed | 2026-04-30T01:00:19Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1044 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-30T01:00:19Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-10442026-04-29T08:08:45Z The effect of heat treatment on the electrophysical properties of CdZnTe gamma-ray detectors Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения Kutniy, V. E. Kutniy, D. V. Rybka, A. V. Abyzov, A. S. Davydov, L. N. Nakonechny, D. V. Shlyakhov, I. N. semiconductor detector CdZnTe current-voltage characteristic ohmic contact metal-semiconductor junction полупроводниковый детектор CdZnTe вольт-амперная характеристика омический контакт структура The effect of heat treatment (HT) on the electrophysical properties of γ-ray detectors based on a p-type CdZnTe semiconductor compound was investigated. The optimal HT conditions were determined. It was shown that the application of HT allows for a significant reduction in leakage current and an increase in operating voltage, which contributes to an improvement in the spectrometric characteristics of the detector. Experimental results are presented demonstrating that the change in the detector’s characteristics is largely due to modification of the metal-semiconductor interface rather than changes in the properties of the side surface. Исследовано влияние термообработки (ТО) на электрофизические свойства датчиков γ-излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe p-типа. Определен оптимальный режим ТО. Показано, что применение ТО позволяет значительно снизить ток утечки и повысить рабочее напряжение, что способствует улучшению спектрометрических характеристик датчика. Приведены экспериментальные результаты, демонстрирующие, что изменение характеристик детектора в большей степени обусловлено модификацией границы раздела "металл-полупроводник", чем изменением свойств боковой поверхности. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.12 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2005): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 12-15 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 12-15 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.12/953 Copyright (c) 2005 Kutniy V. E., Kutniy D. V., Rybka A. V., Abyzov A. S., Davydov L. N., Nakonechny D. V., Shlyakhov I. N. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | полупроводниковый детектор CdZnTe вольт-амперная характеристика омический контакт структура Kutniy, V. E. Kutniy, D. V. Rybka, A. V. Abyzov, A. S. Davydov, L. N. Nakonechny, D. V. Shlyakhov, I. N. Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения |
| title | Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения |
| title_alt | The effect of heat treatment on the electrophysical properties of CdZnTe gamma-ray detectors |
| title_full | Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения |
| title_fullStr | Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения |
| title_full_unstemmed | Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения |
| title_short | Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения |
| title_sort | влияние термообработки на электрофизические свойства cdznte-детекторов γ-излучения |
| topic | полупроводниковый детектор CdZnTe вольт-амперная характеристика омический контакт структура |
| topic_facet | semiconductor detector CdZnTe current-voltage characteristic ohmic contact metal-semiconductor junction полупроводниковый детектор CdZnTe вольт-амперная характеристика омический контакт структура |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.12 |
| work_keys_str_mv | AT kutniyve theeffectofheattreatmentontheelectrophysicalpropertiesofcdzntegammaraydetectors AT kutniydv theeffectofheattreatmentontheelectrophysicalpropertiesofcdzntegammaraydetectors AT rybkaav theeffectofheattreatmentontheelectrophysicalpropertiesofcdzntegammaraydetectors AT abyzovas theeffectofheattreatmentontheelectrophysicalpropertiesofcdzntegammaraydetectors AT davydovln theeffectofheattreatmentontheelectrophysicalpropertiesofcdzntegammaraydetectors AT nakonechnydv theeffectofheattreatmentontheelectrophysicalpropertiesofcdzntegammaraydetectors AT shlyakhovin theeffectofheattreatmentontheelectrophysicalpropertiesofcdzntegammaraydetectors AT kutniyve vliânietermoobrabotkinaélektrofizičeskiesvojstvacdzntedetektorovgizlučeniâ AT kutniydv vliânietermoobrabotkinaélektrofizičeskiesvojstvacdzntedetektorovgizlučeniâ AT rybkaav vliânietermoobrabotkinaélektrofizičeskiesvojstvacdzntedetektorovgizlučeniâ AT abyzovas vliânietermoobrabotkinaélektrofizičeskiesvojstvacdzntedetektorovgizlučeniâ AT davydovln vliânietermoobrabotkinaélektrofizičeskiesvojstvacdzntedetektorovgizlučeniâ AT nakonechnydv vliânietermoobrabotkinaélektrofizičeskiesvojstvacdzntedetektorovgizlučeniâ AT shlyakhovin vliânietermoobrabotkinaélektrofizičeskiesvojstvacdzntedetektorovgizlučeniâ AT kutniyve effectofheattreatmentontheelectrophysicalpropertiesofcdzntegammaraydetectors AT kutniydv effectofheattreatmentontheelectrophysicalpropertiesofcdzntegammaraydetectors AT rybkaav effectofheattreatmentontheelectrophysicalpropertiesofcdzntegammaraydetectors AT abyzovas effectofheattreatmentontheelectrophysicalpropertiesofcdzntegammaraydetectors AT davydovln effectofheattreatmentontheelectrophysicalpropertiesofcdzntegammaraydetectors AT nakonechnydv effectofheattreatmentontheelectrophysicalpropertiesofcdzntegammaraydetectors AT shlyakhovin effectofheattreatmentontheelectrophysicalpropertiesofcdzntegammaraydetectors |