Buchumschlag

Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения

The effect of heat treatment (HT) on the electrophysical properties of γ-ray detectors based on a p-type CdZnTe semiconductor compound was investigated. The optimal HT conditions were determined. It was shown that the application of HT allows for a significant reduction in leakage current and an inc...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2005
Hauptverfasser:	Kutniy, V. E., Kutniy, D. V., Rybka, A. V., Abyzov, A. S., Davydov, L. N., Nakonechny, D. V., Shlyakhov, I. N.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005
Schlagworte:	полупроводниковый детектор CdZnTe вольт-амперная характеристика омический контакт структура
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.12
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
von: Zakharchenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Сенсоры на основе CdZnTe для измерений рентгеновского излучения
von: Rybka, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Классификация методов измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов
von: Iermolenko, Ia. O.
Veröffentlicht: (2014)

Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
von: Yermolenko, Ye. O., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
von: Mokritsky, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2005)

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ИМПУЛЬСНОЙ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ ДЛЯ АДАПТИВНОГО СПОСОБА ИЗМЕРЕНИЯ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
von: Ермоленко , Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe
von: Kondrik, Alexandr, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
von: Zakharchenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
von: Kondrik, Alexander, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Влияние длительности спекания на микроструктуру и электрические свойства низковольтной варисторной керамики на основе оксида цинка
von: Lyashkov, A. Yu.
Veröffentlicht: (2018)

Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
von: Skrypnyk, A. I.
Veröffentlicht: (2015)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2016)

Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2012)

Технология изготовления контактов к карбиду кремния
von: Kudryk, Ya. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Basanets, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0
von: Gentsar, P.O., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Дослiдження характеристик кремнiєвих фотоелектричних перетворювачiв сонячних батарей при перегрiві
von: Ivanchenko, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Зміни характеристик кремнієвих фотоелектричних перетворювачів сонячних батарей після струмових перевантажень
von: Ivanchenko, Alexander, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
von: Tonkoshkur, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
von: Sai, P. O.
Veröffentlicht: (2016)

Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Bosiy, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

НЕМОНОТОННОСТЬ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДУГОВОГО РАЗРЯДА, ОБУСЛОВЛЕННАЯ ЭФФЕКТАМИ ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ
von: Жовтянский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
von: Gnilenko, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Модель алмазного транзистора
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование анизотропных оптикотермоэлементов в случае различных оптических и тепловых режимов
von: Ascheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Управління падінням напруги кремнієвого діода шляхом опромінення електронами та термічної обробки
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4
von: Voitsekhovskii, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Про один підхід, пов'язаний з дослідженням напружено-деформованого стану кусково-однорідної ізотропної пластини з тріщиною за згину з урахуванням ширини області контакту її берегів
von: Опанасович, Віктор Костянтинович; Львівський національний університет імені Івана Франка, кафедра механіки, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Дослідження динамічних ВАХ Si-фотодіодів в області малих струмів за допомогою комп’ютеризованого вимірювального комплексу
von: Kshevetskyi, Oleg, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)

МЕХАТРОНННЫЕ СИСТЕМЫ ГЕНЕРИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОЭНЕРГИИ НА ОСНОВЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАШИН С САМОВОЗБУЖДЕНИЕМ
von: Гарганеев , А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Дозиметрические характеристики детекторов рентгеновского и гамма-излучения на основе (CdZnTe)
von: Рыбка, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2004)

Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2004)