Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике
Single-crystal iron-yttrium garnet (IYG) films with thicknesses ranging from a few micrometers to 92 μm were grown using the liquid-phase epitaxy method. Three methods of etching FeYG films were used to fabricate devices based on magnetostatic waves: ion etching, liquid-chemical etching, and laser-i...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.22 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1863855184740876288 |
|---|---|
| author | Yushchuk, S. I. Yuryev, S. A. Kostyuk, P. S. Bondar, V. I. |
| author_facet | Yushchuk, S. I. Yuryev, S. A. Kostyuk, P. S. Bondar, V. I. |
| author_sort | Yushchuk, S. I. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-29T08:08:45Z |
| description | Single-crystal iron-yttrium garnet (IYG) films with thicknesses ranging from a few micrometers to 92 μm were grown using the liquid-phase epitaxy method. Three methods of etching FeYG films were used to fabricate devices based on magnetostatic waves: ion etching, liquid-chemical etching, and laser-induced etching. The developed waveguide structures and resonators were used to create planar microwave filters and delay lines. |
| first_indexed | 2026-04-30T01:00:19Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1047 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-30T01:00:19Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-10472026-04-29T08:08:45Z Application of ferrite-garnet epitaxial structures in ultra-high-frequency electronics Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике Yushchuk, S. I. Yuryev, S. A. Kostyuk, P. S. Bondar, V. I. ferro-garnet epitaxial structures resonators microwave magnetostatic waves etching methods феррогранатовые эпитаксиальные структуры резонаторы СВЧ магнитостатические волны методы травления Single-crystal iron-yttrium garnet (IYG) films with thicknesses ranging from a few micrometers to 92 μm were grown using the liquid-phase epitaxy method. Three methods of etching FeYG films were used to fabricate devices based on magnetostatic waves: ion etching, liquid-chemical etching, and laser-induced etching. The developed waveguide structures and resonators were used to create planar microwave filters and delay lines. Методом жидкофазной эпитаксии выращены монокристаллические пленки железо-иттриевого граната (ЖИГ) толщиной от единиц до 92 мкм. Для формирования структур устройств на магнитостатических волнах применены три метода травления пленок ЖИГ: ионный, жидкостно-химический и стимулированный излучением лазера. Разработанные волноводные структуры и резонаторы использованы для создания планарных СВЧ-фильтров и линий задержки. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.22 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2005): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 22-25 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 22-25 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.22/956 Copyright (c) 2005 Yushchuk S. I., Yuryev S. A., Kostyuk P. S., Bondar V. I. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | феррогранатовые эпитаксиальные структуры резонаторы СВЧ магнитостатические волны методы травления Yushchuk, S. I. Yuryev, S. A. Kostyuk, P. S. Bondar, V. I. Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике |
| title | Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике |
| title_alt | Application of ferrite-garnet epitaxial structures in ultra-high-frequency electronics |
| title_full | Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике |
| title_fullStr | Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике |
| title_full_unstemmed | Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике |
| title_short | Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике |
| title_sort | применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике |
| topic | феррогранатовые эпитаксиальные структуры резонаторы СВЧ магнитостатические волны методы травления |
| topic_facet | ferro-garnet epitaxial structures resonators microwave magnetostatic waves etching methods феррогранатовые эпитаксиальные структуры резонаторы СВЧ магнитостатические волны методы травления |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.22 |
| work_keys_str_mv | AT yushchuksi applicationofferritegarnetepitaxialstructuresinultrahighfrequencyelectronics AT yuryevsa applicationofferritegarnetepitaxialstructuresinultrahighfrequencyelectronics AT kostyukps applicationofferritegarnetepitaxialstructuresinultrahighfrequencyelectronics AT bondarvi applicationofferritegarnetepitaxialstructuresinultrahighfrequencyelectronics AT yushchuksi primenenieferrogranatovyhépitaksialʹnyhstrukturvsverhvysokočastotnojélektronike AT yuryevsa primenenieferrogranatovyhépitaksialʹnyhstrukturvsverhvysokočastotnojélektronike AT kostyukps primenenieferrogranatovyhépitaksialʹnyhstrukturvsverhvysokočastotnojélektronike AT bondarvi primenenieferrogranatovyhépitaksialʹnyhstrukturvsverhvysokočastotnojélektronike |