Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники
The results of fundamental and metrological studies used for the development of diode temperature sensors for extreme electronics are presented. The sensors, designed on the basis of modern industrial technology for manufacturing silicon diode chips, have been applied in multichannel systems for t...
Gespeichert in:
| Datum: | 2005 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.30 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1863855184715710464 |
|---|---|
| author | Shwarts, Yu. M. Shwarts, M. M. |
| author_facet | Shwarts, Yu. M. Shwarts, M. M. |
| author_sort | Shwarts, Yu. M. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-29T08:08:45Z |
| description |
The results of fundamental and metrological studies used for the development of diode temperature sensors for extreme electronics are presented. The sensors, designed on the basis of modern industrial technology for manufacturing silicon diode chips, have been applied in multichannel systems for temperature monitoring of Unit IV at the Chernobyl Nuclear Power Plant and for controlling temperature regimes during fueling operations in Zenit-3SL launch vehicles.
|
| first_indexed | 2026-04-30T01:00:19Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1050 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-30T01:00:19Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-10502026-04-29T08:08:45Z Microelectronic thermodiode sensors for extreme electronics Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники Shwarts, Yu. M. Shwarts, M. M. extreme electronics p–n junction Si sensor temperature экстремальная электроника p-n-переход Si сенсор температура The results of fundamental and metrological studies used for the development of diode temperature sensors for extreme electronics are presented. The sensors, designed on the basis of modern industrial technology for manufacturing silicon diode chips, have been applied in multichannel systems for temperature monitoring of Unit IV at the Chernobyl Nuclear Power Plant and for controlling temperature regimes during fueling operations in Zenit-3SL launch vehicles. Представлены результаты фундаментальных и метрологических исследований, которые были использованы для создания диодных сенсоров температуры экстремальной электроники. Сенсоры, разработанные на базе современной промышленной технологии изготовления кремниевых диодных чипов, применены в составе многоканальных систем для температурного мониторинга IV блока Чернобыльской АЭС и контроля температурных режимов заправки при пусках ракет-носителей "Зенит-3SL". PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.30 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2005): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 30-33 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 30-33 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.30/958 Copyright (c) 2005 Shwarts Yu. M., Shwarts М. M. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | экстремальная электроника p-n-переход Si сенсор температура Shwarts, Yu. M. Shwarts, M. M. Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники |
| title | Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники |
| title_alt | Microelectronic thermodiode sensors for extreme electronics |
| title_full | Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники |
| title_fullStr | Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники |
| title_full_unstemmed | Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники |
| title_short | Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники |
| title_sort | микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники |
| topic | экстремальная электроника p-n-переход Si сенсор температура |
| topic_facet | extreme electronics p–n junction Si sensor temperature экстремальная электроника p-n-переход Si сенсор температура |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.30 |
| work_keys_str_mv | AT shwartsyum microelectronicthermodiodesensorsforextremeelectronics AT shwartsmm microelectronicthermodiodesensorsforextremeelectronics AT shwartsyum mikroélektronnyetermodiodnyesensoryékstremalʹnojélektroniki AT shwartsmm mikroélektronnyetermodiodnyesensoryékstremalʹnojélektroniki |