Buchumschlag

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs

An electrochemical profiling setup for semiconductor structures has been developed, in which the concentration of free charge carriers is determined from the capacitance–voltage characteristics of the electrolyte–semiconductor barrier, while scanning through the thickness of epitaxial layers is perf...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2005
Hauptverfasser:	Vakiv, N. M., Zaverbniy, I. R., Zayachuk, D. M., Krukovsky, S. I., Mrykhin, I. O.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005
Schlagworte:	GaAs электрохимическое профилирование барьер
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.40
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
von: Kovachov, S. S., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
von: Bonchyk, A. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
von: Krukovsky, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100)
von: Gentsar, P. O., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления
von: Дяденчук, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
von: Djanghidze, L. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике
von: Yushchuk, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Борисенко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур
von: Новосядлый, С.П.
Veröffentlicht: (1998)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Borisenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
von: Mirsagatov, Sh. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Современные технические средства профилирования дна
von: Гончар, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике
von: Ющук, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Cr⁴⁺:АИГ
von: Izhnin, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання
von: Mollaamin, F.
Veröffentlicht: (2025)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)

High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
von: Krukovsky, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості
von: Veleschuk, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
von: Stempitsky, V. R., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
von: Tonkoshkur, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Кинетика электрохимического восстановления тиосульфатных комплексов меди (I)
von: Стезерянский, Э.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Особенности электрохимического осаждения тугоплавких сплавов на алмазах
von: Дуда, Т.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)