Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs

• Дата: 2005
• Автори: Vakiv, N. M., Zaverbniy, I. R., Zayachuk, D. M., Krukovsky, S. I., Mrykhin, I. O.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005
• Теми: GaAs; электрохимическое профилирование; барьер
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.40
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

An electrochemical profiling setup for semiconductor structures has been developed, in which the concentration of free charge carriers is determined from the capacitance–voltage characteristics of the electrolyte–semiconductor barrier, while scanning through the thickness of epitaxial layers is perf...