Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
A hardware implementation of multichannel domestic millimeter-wave therapy devices based on Gunn diodes operating in the frequency ranges of 42–53 GHz and 56–65 GHz with operating currents below 120 mA has been carried out. New technologies for forming a cathode contact with limited injection of maj...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.46 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1863855186853756928 |
|---|---|
| author | Yatsunenko, A. G. Kovtonyk, V. M. Ivanov, V. N. Nikolaenko, Yu. E. |
| author_facet | Yatsunenko, A. G. Kovtonyk, V. M. Ivanov, V. N. Nikolaenko, Yu. E. |
| author_sort | Yatsunenko, A. G. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-29T08:08:45Z |
| description | A hardware implementation of multichannel domestic millimeter-wave therapy devices based on Gunn diodes operating in the frequency ranges of 42–53 GHz and 56–65 GHz with operating currents below 120 mA has been carried out. New technologies for forming a cathode contact with limited injection of majority carriers from AuGe–TiB2–Au allow the fabrication of diodes with a conversion efficiency of DC voltage into microwave oscillations exceeding 2% and a maximum output power up to 10 mW. This makes it possible to significantly improve the performance characteristics of millimeter-wave equipment and expand its functional capabilities. |
| first_indexed | 2026-04-30T01:00:21Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1056 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-30T01:00:21Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-10562026-04-29T08:08:45Z Low-current Gunn diodes based on gallium arsenide for millimeter-wave devices Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов Yatsunenko, A. G. Kovtonyk, V. M. Ivanov, V. N. Nikolaenko, Yu. E. gallium arsenide cathode contact Schottky barrier Gunn diode generator module millimeter-wave devices millimeter-wave therapy RAMED EXPERT арсенид галлия катодный контакт барьер Шоттки диод Ганна генераторный модуль КВЧ-аппараты КВЧ-терапия РАМЕД ЭКСПЕРТ A hardware implementation of multichannel domestic millimeter-wave therapy devices based on Gunn diodes operating in the frequency ranges of 42–53 GHz and 56–65 GHz with operating currents below 120 mA has been carried out. New technologies for forming a cathode contact with limited injection of majority carriers from AuGe–TiB2–Au allow the fabrication of diodes with a conversion efficiency of DC voltage into microwave oscillations exceeding 2% and a maximum output power up to 10 mW. This makes it possible to significantly improve the performance characteristics of millimeter-wave equipment and expand its functional capabilities. Осуществлена аппаратная реализация многоканальных отечественных аппаратов КВЧ-терапии на основе диодов Ганна, работающих в диапазоне частот 42-53 ГГц и 56-65 ГГц с рабочими токами менее 120 мА. Новые технологии формирования катодного контакта с ограниченной инжекцией тока основных носителей из AuGe-TiB2-Au позволяют получать диоды с эффективностью преобразования постоянного напряжения в СВЧ-колебания более 2% и максимальной выходной мощностью до 10 мВт. Это позволяет намного повысить эксплуатационные характеристики КВЧ-аппаратуры и расширить ее функциональные возможности. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.46 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2005): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 46-48 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 46-48 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.46/962 Copyright (c) 2005 A. G. Yatsunenko, V. M. Kovtonyk, V. N. Ivanov, Yu. E. Nikolaenko http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | арсенид галлия катодный контакт барьер Шоттки диод Ганна генераторный модуль КВЧ-аппараты КВЧ-терапия РАМЕД ЭКСПЕРТ Yatsunenko, A. G. Kovtonyk, V. M. Ivanov, V. N. Nikolaenko, Yu. E. Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов |
| title | Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов |
| title_alt | Low-current Gunn diodes based on gallium arsenide for millimeter-wave devices |
| title_full | Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов |
| title_fullStr | Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов |
| title_full_unstemmed | Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов |
| title_short | Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов |
| title_sort | слаботочные диоды ганна на основе арсенида галлия для квч-аппаратов |
| topic | арсенид галлия катодный контакт барьер Шоттки диод Ганна генераторный модуль КВЧ-аппараты КВЧ-терапия РАМЕД ЭКСПЕРТ |
| topic_facet | gallium arsenide cathode contact Schottky barrier Gunn diode generator module millimeter-wave devices millimeter-wave therapy RAMED EXPERT арсенид галлия катодный контакт барьер Шоттки диод Ганна генераторный модуль КВЧ-аппараты КВЧ-терапия РАМЕД ЭКСПЕРТ |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.46 |
| work_keys_str_mv | AT yatsunenkoag lowcurrentgunndiodesbasedongalliumarsenideformillimeterwavedevices AT kovtonykvm lowcurrentgunndiodesbasedongalliumarsenideformillimeterwavedevices AT ivanovvn lowcurrentgunndiodesbasedongalliumarsenideformillimeterwavedevices AT nikolaenkoyue lowcurrentgunndiodesbasedongalliumarsenideformillimeterwavedevices AT yatsunenkoag slabotočnyediodygannanaosnovearsenidagalliâdlâkvčapparatov AT kovtonykvm slabotočnyediodygannanaosnovearsenidagalliâdlâkvčapparatov AT ivanovvn slabotočnyediodygannanaosnovearsenidagalliâdlâkvčapparatov AT nikolaenkoyue slabotočnyediodygannanaosnovearsenidagalliâdlâkvčapparatov |