Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
A hardware implementation of multichannel domestic millimeter-wave therapy devices based on Gunn diodes operating in the frequency ranges of 42–53 GHz and 56–65 GHz with operating currents below 120 mA has been carried out. New technologies for forming a cathode contact with limited injection of maj...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.46 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Сверхлегкие генераторные модули для КВЧ-терапии
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2006)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
за авторством: Яцуненко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Яцуненко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
Конструктивно-технологические особенности автодинных ГИС КВЧ на диодах Ганна
за авторством: Votoropin, S. D.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Votoropin, S. D.
Опубліковано: (2006)
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)
Использование электромагнитного излучения в медицине и требования к построению КВЧ-аппаратов
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2006)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)
Принципиально новый подход к изготовлению СВЧ-элементов и узлов систем связи и навигации
за авторством: Yatsunenko, A. G.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Yatsunenko, A. G.
Опубліковано: (2005)
Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
за авторством: Mirsagatov, Sh. A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Mirsagatov, Sh. A., та інші
Опубліковано: (2018)
Перспективы украинско-польского сотрудничества в развитии энергоинформационных медицинских технологий
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2008)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
Обзор мирового рынка арсенида галлия
за авторством: Наумов, А.В.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Наумов, А.В.
Опубліковано: (2005)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
за авторством: Кирилаш, А.И., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Кирилаш, А.И., та інші
Опубліковано: (2012)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Эволюция энергетического спектра арсенида галлия под давлением
за авторством: Моллаев, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Моллаев, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2004)
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Borisenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Borisenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
за авторством: Гаджиалиев, М.М., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Гаджиалиев, М.М., та інші
Опубліковано: (2014)
Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
за авторством: Шутов, С.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Шутов, С.В.
Опубліковано: (1999)
Полупроводниковый генераторный модуль для медико-биологических применений
за авторством: Plaksin, S. V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Plaksin, S. V., та інші
Опубліковано: (2006)
Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2006)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2009)
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2014)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2006)
Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2004)
Высокоэффективные катодные элементы для газоразрядных источников света
за авторством: Sevastyanov, V. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Sevastyanov, V. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах
за авторством: Lytovchenko, V. G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Lytovchenko, V. G., та інші
Опубліковано: (2018)
Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2005)
Особенности токопереноса в тонкопленочных структурах на основе арсенида галлия для функциональных элементов систем измерений, управления и связи
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)
Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2006)