Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
A hardware implementation of multichannel domestic millimeter-wave therapy devices based on Gunn diodes operating in the frequency ranges of 42–53 GHz and 56–65 GHz with operating currents below 120 mA has been carried out. New technologies for forming a cathode contact with limited injection of maj...
Saved in:
| Date: | 2005 |
|---|---|
| Main Authors: | Yatsunenko, A. G., Kovtonyk, V. M., Ivanov, V. N., Nikolaenko, Yu. E. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.46 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
Сверхлегкие генераторные модули для КВЧ-терапии
by: Yatsunenko, A. G., et al.
Published: (2006)
by: Yatsunenko, A. G., et al.
Published: (2006)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
by: Ivanov, V. N., et al.
Published: (2007)
by: Ivanov, V. N., et al.
Published: (2007)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
by: Яцуненко, А.Г., et al.
Published: (2005)
by: Яцуненко, А.Г., et al.
Published: (2005)
Конструктивно-технологические особенности автодинных ГИС КВЧ на диодах Ганна
by: Votoropin, S. D.
Published: (2006)
by: Votoropin, S. D.
Published: (2006)
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
by: Boltovets, N. S., et al.
Published: (2010)
by: Boltovets, N. S., et al.
Published: (2010)
Использование электромагнитного излучения в медицине и требования к построению КВЧ-аппаратов
by: Yatsunenko, A. G., et al.
Published: (2005)
by: Yatsunenko, A. G., et al.
Published: (2005)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2010)
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2010)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2007)
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2007)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2009)
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2009)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
by: Sоlоdukha, V. A., et al.
Published: (2012)
by: Sоlоdukha, V. A., et al.
Published: (2012)
Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн
by: Ivanov, V. N., et al.
Published: (2006)
by: Ivanov, V. N., et al.
Published: (2006)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2006)
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2006)
Принципиально новый подход к изготовлению СВЧ-элементов и узлов систем связи и навигации
by: Yatsunenko, A. G.
Published: (2005)
by: Yatsunenko, A. G.
Published: (2005)
Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
by: Mirsagatov, Sh. A., et al.
Published: (2018)
by: Mirsagatov, Sh. A., et al.
Published: (2018)
Перспективы украинско-польского сотрудничества в развитии энергоинформационных медицинских технологий
by: Yatsunenko, A. G., et al.
Published: (2008)
by: Yatsunenko, A. G., et al.
Published: (2008)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2008)
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2008)
Обзор мирового рынка арсенида галлия
by: Наумов, А.В.
Published: (2005)
by: Наумов, А.В.
Published: (2005)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2015)
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2015)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2013)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2013)
Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
by: Кирилаш, А.И., et al.
Published: (2012)
by: Кирилаш, А.И., et al.
Published: (2012)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2003)
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2003)
Эволюция энергетического спектра арсенида галлия под давлением
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2004)
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2004)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
by: Borisenko, A. G., et al.
Published: (2005)
by: Borisenko, A. G., et al.
Published: (2005)
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
by: Garkavenko, A. S.
Published: (2011)
by: Garkavenko, A. S.
Published: (2011)
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
by: Kovtun, G. P., et al.
Published: (2004)
by: Kovtun, G. P., et al.
Published: (2004)
Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
by: Гаджиалиев, М.М., et al.
Published: (2014)
by: Гаджиалиев, М.М., et al.
Published: (2014)
Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
by: Шутов, С.В.
Published: (1999)
by: Шутов, С.В.
Published: (1999)
Полупроводниковый генераторный модуль для медико-биологических применений
by: Plaksin, S. V., et al.
Published: (2006)
by: Plaksin, S. V., et al.
Published: (2006)
Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
by: Kovtun, G. P., et al.
Published: (2006)
by: Kovtun, G. P., et al.
Published: (2006)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)
Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2009)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2009)
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2014)
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2014)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
by: Иванов, В.Н., et al.
Published: (2007)
by: Иванов, В.Н., et al.
Published: (2007)
GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2006)
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2006)
Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии
by: Иванов, В.Н., et al.
Published: (2004)
by: Иванов, В.Н., et al.
Published: (2004)
Высокоэффективные катодные элементы для газоразрядных источников света
by: Sevastyanov, V. V., et al.
Published: (2009)
by: Sevastyanov, V. V., et al.
Published: (2009)
Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах
by: Lytovchenko, V. G., et al.
Published: (2018)
by: Lytovchenko, V. G., et al.
Published: (2018)
Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2005)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2005)
Особенности токопереноса в тонкопленочных структурах на основе арсенида галлия для функциональных элементов систем измерений, управления и связи
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2008)
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2008)
Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
by: Стороженко, И.П.
Published: (2006)
by: Стороженко, И.П.
Published: (2006)
Similar Items
-
Сверхлегкие генераторные модули для КВЧ-терапии
by: Yatsunenko, A. G., et al.
Published: (2006) -
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
by: Ivanov, V. N., et al.
Published: (2007) -
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
by: Яцуненко, А.Г., et al.
Published: (2005) -
Конструктивно-технологические особенности автодинных ГИС КВЧ на диодах Ганна
by: Votoropin, S. D.
Published: (2006) -
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
by: Boltovets, N. S., et al.
Published: (2010)