Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел"
The possibility of fabricating an n–p–n type phototransistor based on a double heterostructure “oxide–InSe–oxide” is demonstrated. Photocurrent amplification in the phototransistor occurs only for initial sample thicknesses comparable to the diffusion length of minority charge carriers. A distinctiv...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.1.38 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |