Получение и свойства пористого карбида кремния
The methods of obtaining porous silicon carbide, its properties, and the influence of electrolyte composition, etching time, and current density on the morphology of the porous layer are discussed, as well as the dependence of pore structure on substrate doping. The results are compared with data on...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.1.53 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1864036381350690816 |
|---|---|
| author | Svetlichnaya, L. A. Moskovchenko, N. N. Serba, P. V. |
| author_facet | Svetlichnaya, L. A. Moskovchenko, N. N. Serba, P. V. |
| author_sort | Svetlichnaya, L. A. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-01T07:01:58Z |
| description | The methods of obtaining porous silicon carbide, its properties, and the influence of electrolyte composition, etching time, and current density on the morphology of the porous layer are discussed, as well as the dependence of pore structure on substrate doping. The results are compared with data on porous silicon. |
| first_indexed | 2026-05-02T01:00:21Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1093 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-02T01:00:21Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-10932026-05-01T07:01:58Z Preparation and properties of porous silicon carbide Получение и свойства пористого карбида кремния Svetlichnaya, L. A. Moskovchenko, N. N. Serba, P. V. porous silicon carbide electrochemical etching morphology of porous layer pore size epitaxial SiC layer пористый карбид кремния электрохимическое травление морфология пористого слоя размер пор эпитаксиальный слой SiC The methods of obtaining porous silicon carbide, its properties, and the influence of electrolyte composition, etching time, and current density on the morphology of the porous layer are discussed, as well as the dependence of pore structure on substrate doping. The results are compared with data on porous silicon. Рассмотрены методы получения пористого карбида кремния, его свойства, влияние состава электролита, времени травления и плотности тока на морфологию пористого слоя, а также зависимость структуры пор от легирования подложки. Результаты сопоставлены с данными по пористому кремнию. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005-02-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.1.53 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2005): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 53-57 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 53-57 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.1.53/998 Copyright (c) 2005 Svetlichnaya L. A., Moskovchenko N. N., Serba P. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | пористый карбид кремния электрохимическое травление морфология пористого слоя размер пор эпитаксиальный слой SiC Svetlichnaya, L. A. Moskovchenko, N. N. Serba, P. V. Получение и свойства пористого карбида кремния |
| title | Получение и свойства пористого карбида кремния |
| title_alt | Preparation and properties of porous silicon carbide |
| title_full | Получение и свойства пористого карбида кремния |
| title_fullStr | Получение и свойства пористого карбида кремния |
| title_full_unstemmed | Получение и свойства пористого карбида кремния |
| title_short | Получение и свойства пористого карбида кремния |
| title_sort | получение и свойства пористого карбида кремния |
| topic | пористый карбид кремния электрохимическое травление морфология пористого слоя размер пор эпитаксиальный слой SiC |
| topic_facet | porous silicon carbide electrochemical etching morphology of porous layer pore size epitaxial SiC layer пористый карбид кремния электрохимическое травление морфология пористого слоя размер пор эпитаксиальный слой SiC |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.1.53 |
| work_keys_str_mv | AT svetlichnayala preparationandpropertiesofporoussiliconcarbide AT moskovchenkonn preparationandpropertiesofporoussiliconcarbide AT serbapv preparationandpropertiesofporoussiliconcarbide AT svetlichnayala polučenieisvojstvaporistogokarbidakremniâ AT moskovchenkonn polučenieisvojstvaporistogokarbidakremniâ AT serbapv polučenieisvojstvaporistogokarbidakremniâ |