Получение и свойства пористого карбида кремния
The methods of obtaining porous silicon carbide, its properties, and the influence of electrolyte composition, etching time, and current density on the morphology of the porous layer are discussed, as well as the dependence of pore structure on substrate doping. The results are compared with data on...
Saved in:
| Date: | 2005 |
|---|---|
| Main Authors: | Svetlichnaya, L. A., Moskovchenko, N. N., Serba, P. V. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.1.53 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
Газоанализаторы на основе пористого карбида кремния
by: Moskovchenko, N. N., et al.
Published: (2006)
by: Moskovchenko, N. N., et al.
Published: (2006)
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
by: Iatsunskyi, I. R.
Published: (2013)
by: Iatsunskyi, I. R.
Published: (2013)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
by: Boltovets, M. S., et al.
Published: (2009)
by: Boltovets, M. S., et al.
Published: (2009)
Получение и свойства пористого карбида кремния
by: Светличная, Л.А., et al.
Published: (2005)
by: Светличная, Л.А., et al.
Published: (2005)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
by: Semenov, A. V., et al.
Published: (2012)
by: Semenov, A. V., et al.
Published: (2012)
Технология изготовления контактов к карбиду кремния
by: Kudryk, Ya. Ya., et al.
Published: (2013)
by: Kudryk, Ya. Ya., et al.
Published: (2013)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2013)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2013)
Исследование пленок поликристаллического кремния для применения в фильтровых спектральных приборах
by: Javadov, N. G.
Published: (2005)
by: Javadov, N. G.
Published: (2005)
Газоанализаторы на основе пористого карбида кремния
by: Московченко, Н.Н., et al.
Published: (2006)
by: Московченко, Н.Н., et al.
Published: (2006)
АРМУВАННЯ МАТЕРІАЛУ НА ОСНОВІ КУБІЧНОГО НІТРИДУ БОРУ МІКРОВОЛОКНАМИ КАРБІДУ СИЛІЦІЮ
by: Румянцева, Ю. Ю., et al.
Published: (2018)
by: Румянцева, Ю. Ю., et al.
Published: (2018)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
by: Vakiv, M. M., et al.
Published: (2010)
by: Vakiv, M. M., et al.
Published: (2010)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
by: Borisenko, A. G., et al.
Published: (2005)
by: Borisenko, A. G., et al.
Published: (2005)
Способ электродугового восстановления кремния
by: Solovyov, O. V., et al.
Published: (2005)
by: Solovyov, O. V., et al.
Published: (2005)
Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2005)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2005)
Получение ультрадисперсного кристаллического карбида кремния методом плазмодинамического синтеза
by: Сивков, А.А., et al.
Published: (2013)
by: Сивков, А.А., et al.
Published: (2013)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)
Получение кремния электродным восстановлением продуктов пиролиза рисовой лузги
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2003)
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2003)
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2011)
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2011)
Поглотители СВЧ-энергии с высокой теплопроводностью на основе AlN и SiC с добавками молибдена
by: Chasnyk, V. I., et al.
Published: (2014)
by: Chasnyk, V. I., et al.
Published: (2014)
Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния
by: Najafov, B. A., et al.
Published: (2018)
by: Najafov, B. A., et al.
Published: (2018)
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
by: Rubtsevich, I. I., et al.
Published: (2011)
by: Rubtsevich, I. I., et al.
Published: (2011)
Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор)
by: Охрименко, О.Б.
Published: (2012)
by: Охрименко, О.Б.
Published: (2012)
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
by: Яцунский, И.Р.
Published: (2013)
by: Яцунский, И.Р.
Published: (2013)
Оптимизация конструкции мембранных датчиков
by: Rubcevich, I. I., et al.
Published: (2009)
by: Rubcevich, I. I., et al.
Published: (2009)
Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
by: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Published: (2012)
by: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Published: (2012)
Формирование высокоплотной структуры самосвязанного карбида кремния
by: Майстренко, А.Л., et al.
Published: (2009)
by: Майстренко, А.Л., et al.
Published: (2009)
О плавлении карбида кремния под давлением
by: Соколов, П.С., et al.
Published: (2012)
by: Соколов, П.С., et al.
Published: (2012)
ОЦЕНКА ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАШИН И ИХ СЕРИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ЗАВИСИМОСТЕЙ ПАРАМЕТРОВ ОТ ОБОБЩЕННОГО ЛИНЕЙНОГО РАЗМЕРА
by: Загирняк, М.В., et al.
Published: (2013)
by: Загирняк, М.В., et al.
Published: (2013)
ОЦЕНКА ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАШИН И ИХ СЕРИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ЗАВИСИМОСТЕЙ ПАРАМЕТРОВ ОТ ОБОБЩЕННОГО ЛИНЕЙНОГО РАЗМЕРА
by: Загирняк, М.В., et al.
Published: (2013)
by: Загирняк, М.В., et al.
Published: (2013)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
by: Novosyadlyi, S. P., et al.
Published: (2009)
by: Novosyadlyi, S. P., et al.
Published: (2009)
Новий підхід до підвищення чутливості газового сенсора на основі плівок нанокристалічного карбіду кремнію
by: Semenov, Alexander, et al.
Published: (2021)
by: Semenov, Alexander, et al.
Published: (2021)
ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
by: Ковбаса, С.М., et al.
Published: (2025)
by: Ковбаса, С.М., et al.
Published: (2025)
ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
by: Ковбаса, С.М., et al.
Published: (2025)
by: Ковбаса, С.М., et al.
Published: (2025)
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
by: Forsh, P. A., et al.
Published: (2009)
by: Forsh, P. A., et al.
Published: (2009)
Получение и свойства горячепрессованных материалов на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана
by: Ивженко, В.В., et al.
Published: (2016)
by: Ивженко, В.В., et al.
Published: (2016)
Получение электрокоммутационных слоев керамических теплопереходов методом детонационного напыления
by: Ashcheulov, A. A., et al.
Published: (2004)
by: Ashcheulov, A. A., et al.
Published: (2004)
Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
by: Djanghidze, L. B., et al.
Published: (2009)
by: Djanghidze, L. B., et al.
Published: (2009)
Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію
by: Shmid, V., et al.
Published: (2019)
by: Shmid, V., et al.
Published: (2019)
Химическое модифицирование поверхности пористого кремния группами полиоксиэтилированных спиртов
by: Суворова, А.О., et al.
Published: (2011)
by: Суворова, А.О., et al.
Published: (2011)
Устойчивость к окислению и модифицирование винилсиланами пористого кремния
by: Барабаш, Р.Н., et al.
Published: (2006)
by: Барабаш, Р.Н., et al.
Published: (2006)
Similar Items
-
Газоанализаторы на основе пористого карбида кремния
by: Moskovchenko, N. N., et al.
Published: (2006) -
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
by: Iatsunskyi, I. R.
Published: (2013) -
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
by: Boltovets, M. S., et al.
Published: (2009) -
Получение и свойства пористого карбида кремния
by: Светличная, Л.А., et al.
Published: (2005) -
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
by: Semenov, A. V., et al.
Published: (2012)