Зображення обкладинки

Получение и свойства пористого карбида кремния

The methods of obtaining porous silicon carbide, its properties, and the influence of electrolyte composition, etching time, and current density on the morphology of the porous layer are discussed, as well as the dependence of pore structure on substrate doping. The results are compared with data on...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2005
Автори:	Svetlichnaya, L. A., Moskovchenko, N. N., Serba, P. V.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005
Теми:	пористый карбид кремния электрохимическое травление морфология пористого слоя размер пор эпитаксиальный слой SiC
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.1.53
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Газоанализаторы на основе пористого карбида кремния
за авторством: Moskovchenko, N. N., та інші
Опубліковано: (2006)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
за авторством: Iatsunskyi, I. R.
Опубліковано: (2013)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)

Получение и свойства пористого карбида кремния
за авторством: Светличная, Л.А., та інші
Опубліковано: (2005)

Технология изготовления контактов к карбиду кремния
за авторством: Kudryk, Ya. Ya., та інші
Опубліковано: (2013)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)

Исследование пленок поликристаллического кремния для применения в фильтровых спектральных приборах
за авторством: Javadov, N. G.
Опубліковано: (2005)

Газоанализаторы на основе пористого карбида кремния
за авторством: Московченко, Н.Н., та інші
Опубліковано: (2006)

АРМУВАННЯ МАТЕРІАЛУ НА ОСНОВІ КУБІЧНОГО НІТРИДУ БОРУ МІКРОВОЛОКНАМИ КАРБІДУ СИЛІЦІЮ
за авторством: Румянцева, Ю. Ю., та інші
Опубліковано: (2018)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
за авторством: Kidalov, V. V., та інші
Опубліковано: (2024)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Borisenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)

Способ электродугового восстановления кремния
за авторством: Solovyov, O. V., та інші
Опубліковано: (2005)

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2005)

Получение ультрадисперсного кристаллического карбида кремния методом плазмодинамического синтеза
за авторством: Сивков, А.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Поглотители СВЧ-энергии с высокой теплопроводностью на основе AlN и SiC с добавками молибдена
за авторством: Chasnyk, V. I., та інші
Опубліковано: (2014)

Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния
за авторством: Najafov, B. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор)
за авторством: Охрименко, О.Б.
Опубліковано: (2012)

Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
за авторством: Rubtsevich, I. I., та інші
Опубліковано: (2011)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
за авторством: Яцунский, И.Р.
Опубліковано: (2013)

Оптимизация конструкции мембранных датчиков
за авторством: Rubcevich, I. I., та інші
Опубліковано: (2009)

Формирование высокоплотной структуры самосвязанного карбида кремния
за авторством: Майстренко, А.Л., та інші
Опубліковано: (2009)

О плавлении карбида кремния под давлением
за авторством: Соколов, П.С., та інші
Опубліковано: (2012)

Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2012)

ОЦЕНКА ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАШИН И ИХ СЕРИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ЗАВИСИМОСТЕЙ ПАРАМЕТРОВ ОТ ОБОБЩЕННОГО ЛИНЕЙНОГО РАЗМЕРА
за авторством: Загирняк, М.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Новий підхід до підвищення чутливості газового сенсора на основі плівок нанокристалічного карбіду кремнію
за авторством: Semenov, Alexander, та інші
Опубліковано: (2021)

Получение и свойства горячепрессованных материалов на основе карбида кремния с добавками карбидов бора и титана
за авторством: Ивженко, В.В., та інші
Опубліковано: (2016)

ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
за авторством: Ковбаса, С.М., та інші
Опубліковано: (2025)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
за авторством: Forsh, P. A., та інші
Опубліковано: (2009)

Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію
за авторством: Shmid, V., та інші
Опубліковано: (2019)

Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
за авторством: Djanghidze, L. B., та інші
Опубліковано: (2009)

Химическое модифицирование поверхности пористого кремния группами полиоксиэтилированных спиртов
за авторством: Суворова, А.О., та інші
Опубліковано: (2011)

Устойчивость к окислению и модифицирование винилсиланами пористого кремния
за авторством: Барабаш, Р.Н., та інші
Опубліковано: (2006)

Закономерности финишной алмазно-абразивной обработки монокристаллического карбида кремния
за авторством: Филатов, Ю.Д., та інші
Опубліковано: (2013)

Особенности получения наночастиц карбида кремния из стружки бамбука
за авторством: До Дык Хуэн, та інші
Опубліковано: (2014)

Использование карбида кремния при внепечной обработке чугуна порошковыми проволоками
за авторством: Кисиленко, В.В., та інші
Опубліковано: (2009)