Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
For the Czochralski method with liquid encapsulation of the melt and an additional heater immersed in the flux, the dependence of the temperature gradient G near the crystallization front in GaAs crystals on the heater power, its distance from the crystal, as well as on the conditions of thermal shi...
Gespeichert in:
| Datum: | 2004 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2004
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.03 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1864036381430382592 |
|---|---|
| author | Kovtun, G. P. Kravchenko, A. I. Kondrik, A. I. Shcherban', A. P. Kondrik, A. I. |
| author_facet | Kovtun, G. P. Kravchenko, A. I. Kondrik, A. I. Shcherban', A. P. Kondrik, A. I. |
| author_sort | Kovtun, G. P. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-01T12:20:04Z |
| description | For the Czochralski method with liquid encapsulation of the melt and an additional heater immersed in the flux, the dependence of the temperature gradient G near the crystallization front in GaAs crystals on the heater power, its distance from the crystal, as well as on the conditions of thermal shielding of the crystal and flux at different ratios of heat flows through the bottom and wall of the crucible has been studied. The conditions under which the best results are achieved (taking into account the values of G and the uniformity of their radial distribution) are demonstrated. |
| first_indexed | 2026-05-02T01:00:21Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1096 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-02T01:00:21Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-10962026-05-01T12:20:04Z Technological approaches to improving the thermal regime of GaAs crystal growth by the Czochralski method Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского Kovtun, G. P. Kravchenko, A. I. Kondrik, A. I. Shcherban', A. P. Kondrik, A. I. gallium arsenide single crystals Czochralski method computer modeling thermal field арсенид галлия монокристаллы метод Чохральского компьютерное моделирование тепловое поле For the Czochralski method with liquid encapsulation of the melt and an additional heater immersed in the flux, the dependence of the temperature gradient G near the crystallization front in GaAs crystals on the heater power, its distance from the crystal, as well as on the conditions of thermal shielding of the crystal and flux at different ratios of heat flows through the bottom and wall of the crucible has been studied. The conditions under which the best results are achieved (taking into account the values of G and the uniformity of their radial distribution) are demonstrated. Применительно к методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава и с погруженным во флюс дополнительным нагревателем (д. н.) изучены зависимости температурного градиента G вблизи фронта кристаллизации в кристалле GaAs от мощности д. н., его удаленности от кристалла, а также от условий теплового экранирования кристалла и флюса при различном соотношении между тепловыми потоками через дно и стенку тигля. Показаны условия, при которых достигаются лучшие результаты (с учетом значений G и равномерности их радиального распределения). PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.03 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2004): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 3-6 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 3-6 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.03/1001 Copyright (c) 2004 Kovtun G. P., Kravchenko A. I., Kondrik A. I., Shcherban' A. P. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | арсенид галлия монокристаллы метод Чохральского компьютерное моделирование тепловое поле Kovtun, G. P. Kravchenko, A. I. Kondrik, A. I. Shcherban', A. P. Kondrik, A. I. Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского |
| title | Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского |
| title_alt | Technological approaches to improving the thermal regime of GaAs crystal growth by the Czochralski method |
| title_full | Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского |
| title_fullStr | Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского |
| title_full_unstemmed | Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского |
| title_short | Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского |
| title_sort | технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов gaas методом чохральского |
| topic | арсенид галлия монокристаллы метод Чохральского компьютерное моделирование тепловое поле |
| topic_facet | gallium arsenide single crystals Czochralski method computer modeling thermal field арсенид галлия монокристаллы метод Чохральского компьютерное моделирование тепловое поле |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.03 |
| work_keys_str_mv | AT kovtungp technologicalapproachestoimprovingthethermalregimeofgaascrystalgrowthbytheczochralskimethod AT kravchenkoai technologicalapproachestoimprovingthethermalregimeofgaascrystalgrowthbytheczochralskimethod AT kondrikai technologicalapproachestoimprovingthethermalregimeofgaascrystalgrowthbytheczochralskimethod AT shcherbanap technologicalapproachestoimprovingthethermalregimeofgaascrystalgrowthbytheczochralskimethod AT kondrikai technologicalapproachestoimprovingthethermalregimeofgaascrystalgrowthbytheczochralskimethod AT kovtungp tehnologičeskiepriemyulučšeniâteplovogorežimavyraŝivaniâkristallovgaasmetodomčohralʹskogo AT kravchenkoai tehnologičeskiepriemyulučšeniâteplovogorežimavyraŝivaniâkristallovgaasmetodomčohralʹskogo AT kondrikai tehnologičeskiepriemyulučšeniâteplovogorežimavyraŝivaniâkristallovgaasmetodomčohralʹskogo AT shcherbanap tehnologičeskiepriemyulučšeniâteplovogorežimavyraŝivaniâkristallovgaasmetodomčohralʹskogo AT kondrikai tehnologičeskiepriemyulučšeniâteplovogorežimavyraŝivaniâkristallovgaasmetodomčohralʹskogo |