Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского

• Datum: 2004
• Ключові слова: keywords
• Hauptverfasser: Kovtun, G. P., Kravchenko, A. I., Kondrik, A. I., Shcherban', A. P.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004
• Schlagworte: арсенид галлия; монокристаллы; метод Чохральского; компьютерное моделирование; тепловое поле
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.03
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

For the Czochralski method with liquid encapsulation of the melt and an additional heater immersed in the flux, the dependence of the temperature gradient G near the crystallization front in GaAs crystals on the heater power, its distance from the crystal, as well as on the conditions of thermal shi...