Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
For the Czochralski method with liquid encapsulation of the melt and an additional heater immersed in the flux, the dependence of the temperature gradient G near the crystallization front in GaAs crystals on the heater power, its distance from the crystal, as well as on the conditions of thermal shi...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.03 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2004)
Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2006)
Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2005)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
за авторством: Turtsevich, A. S., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Turtsevich, A. S., та інші
Опубліковано: (2012)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
Повышение стойкости футеровки конвертеров: огнеупоры, технологические приемы
за авторством: Аксельрод, Л.М., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Аксельрод, Л.М., та інші
Опубліковано: (2009)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
Малозатратные приемы улучшения фитосанитарного состояния посевов и повышения плодородия почвы
за авторством: Тарарико, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Тарарико, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2011)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
Технологические особенности плазменно-индукционного выращивания крупных монокристаллов вольфрама
за авторством: Шаповалов, В.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Шаповалов, В.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Анизотропный термоэлемент в режиме генерации эдс и тока
за авторством: Anatychuk, L. I., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Anatychuk, L. I., та інші
Опубліковано: (2011)
Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
за авторством: Pigur, O. N., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Pigur, O. N., та інші
Опубліковано: (2011)
Выращивание крупногабаритных монокристаллов вольфрамата кадмия с высокой оптической однородностью
за авторством: Solskii, I. M.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Solskii, I. M.
Опубліковано: (2005)
Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
за авторством: Rogov, R. V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Rogov, R. V., та інші
Опубліковано: (2005)
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)
CFD-моделирование радиатора для воздушного охлаждения микропроцессоров в ограниченном пространстве
за авторством: Trofimov, V. E., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Trofimov, V. E., та інші
Опубліковано: (2016)
Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2006)
Технологические параметры режима охлаждения полимерной изоляции силовых кабелей
за авторством: Беспрозванных, А.В., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Беспрозванных, А.В., та інші
Опубліковано: (2019)
Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
за авторством: Рогов, Р.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Рогов, Р.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Нетривиальные приемы электролиза ионных расплавов
за авторством: Зарубицкий, О.Г.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Зарубицкий, О.Г.
Опубліковано: (2000)
Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2016)
Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2012)
Detector properties of Cd0,9Zn0,1Te:Al under the influence of low doze gamma irradiation
за авторством: A. I. Kondrik
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. I. Kondrik
Опубліковано: (2016)
Effect of defects originating under the proton irradiation on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl and CdZnTe
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2021)
Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2015)
Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2004)
ОЦЕНКА СРОКОВ СЛУЖБЫ ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛЕЙ, РАБОТАЮЩИХ В ПОВТОРНО-КРАТКОВРЕМЕННЫХ РЕЖИМАХ
за авторством: Федоров, М.М., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Федоров, М.М., та інші
Опубліковано: (2012)
Тепловой узел ростовой камеры установки выращивания крупногабаритных кристаллов германия методом погружного вращающегося формообразователя
за авторством: Богомаз, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Богомаз, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)
Биотехнологические приемы получения безлактозного зернового продукта
за авторством: Егорова, А.В.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Егорова, А.В.
Опубліковано: (2008)
ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЭКРАНЫ ДЛЯ СНИЖЕНИЯ ИНДУКЦИИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ ПРОМЫШЛЕННОЙ ЧАСТОТЫ НА ОБЪЕКТАХ ЭНЕРГЕТИКИ
за авторством: Резинкина , М.М., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Резинкина , М.М., та інші
Опубліковано: (2012)
PSpice-моделирование оптико-электронных локаторов
за авторством: Yanko, V. V.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Yanko, V. V.
Опубліковано: (2006)