Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
A calculation of the quantum efficiency of interband radiative recombination in CdHgTe crystals is carried out, taking into account their composition, doping level, temperature, and optical excitation level. It is shown that an increase in quantum efficiency of radiative recombination in the interba...
Saved in:
| Date: | 2004 |
|---|---|
| Main Authors: | Vlasenko, A. I., Vlasenko, Z. K. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2004
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.07 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
by: Власенко, А.И., et al.
Published: (2004)
by: Власенко, А.И., et al.
Published: (2004)
Дослiдження морфологiї шарiв p-CdHgTe структурованих ковзним опромiненням iонами срiбла
by: Smirnov, A. B., et al.
Published: (2019)
by: Smirnov, A. B., et al.
Published: (2019)
Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
by: Tsybrii, Z. F., et al.
Published: (2017)
by: Tsybrii, Z. F., et al.
Published: (2017)
Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
by: Yakovkin, I.N.
Published: (2021)
by: Yakovkin, I.N.
Published: (2021)
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4
by: Voitsekhovskii, A. V., et al.
Published: (2005)
by: Voitsekhovskii, A. V., et al.
Published: (2005)
Особливостi дислокацiйного поглинання ультразвуку в безсубблочних кристалах Cd0,2Hg0,8Te
by: Lysyuk, I. O., et al.
Published: (2018)
by: Lysyuk, I. O., et al.
Published: (2018)
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
by: Ashcheulov, A. A., et al.
Published: (2016)
by: Ashcheulov, A. A., et al.
Published: (2016)
Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
by: Pigur, O. N., et al.
Published: (2011)
by: Pigur, O. N., et al.
Published: (2011)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
by: Zakharchenko, A. A., et al.
Published: (2008)
by: Zakharchenko, A. A., et al.
Published: (2008)
Залежнiсть порога плавлення CdTe вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду
by: Veleschuk, V. P., et al.
Published: (2018)
by: Veleschuk, V. P., et al.
Published: (2018)
Сенсоры на основе CdZnTe для измерений рентгеновского излучения
by: Rybka, A. V., et al.
Published: (2006)
by: Rybka, A. V., et al.
Published: (2006)
Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью
by: Baidullaeva, А., et al.
Published: (2007)
by: Baidullaeva, А., et al.
Published: (2007)
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
by: Zakharchenko, A. A., et al.
Published: (2007)
by: Zakharchenko, A. A., et al.
Published: (2007)
Часи життя носіїв заряду у вузькощілинному Hg1–xCdxTe при міжзонному та внутрішньозонному збудженні
by: Staryi, S., et al.
Published: (2023)
by: Staryi, S., et al.
Published: (2023)
Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм
by: Tetyorkin, V., et al.
Published: (2025)
by: Tetyorkin, V., et al.
Published: (2025)
Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0
by: Gentsar, P.O., et al.
Published: (2021)
by: Gentsar, P.O., et al.
Published: (2021)
Влияние электронной структуры нанокластеров на квантовый выход фотоэмиссии магниевых сплавов
by: Ткаченко, В.Г., et al.
Published: (2004)
by: Ткаченко, В.Г., et al.
Published: (2004)
Anisotropy of ultrasonic waves propagation velocities in CdHgTe/CdTe
by: Lysiuk, I.O., et al.
Published: (1999)
by: Lysiuk, I.O., et al.
Published: (1999)
Passivation of CdHgTe epitaxial structures: ab initio calculations
by: R. M. Balabai
Published: (2012)
by: R. M. Balabai
Published: (2012)
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
by: Завадский, В.А., et al.
Published: (2001)
by: Завадский, В.А., et al.
Published: (2001)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
by: Parkhomenko, H. P., et al.
Published: (2016)
by: Parkhomenko, H. P., et al.
Published: (2016)
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
by: Kovaliuk, Taras, et al.
Published: (2021)
by: Kovaliuk, Taras, et al.
Published: (2021)
Исследование собственных и примесных точечных дефектов в сапфировых подложках люминесцентными методами
by: Bletskan, D. I., et al.
Published: (2006)
by: Bletskan, D. I., et al.
Published: (2006)
Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
by: A. B. Smirnov, et al.
Published: (2013)
by: A. B. Smirnov, et al.
Published: (2013)
Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
by: O. B. Smirnov, et al.
Published: (2013)
by: O. B. Smirnov, et al.
Published: (2013)
Studies of CdHgTe as a material for x- and γ-ray detectors
by: Kosyachenko, L.A., et al.
Published: (2003)
by: Kosyachenko, L.A., et al.
Published: (2003)
Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів
by: Балабай, Р.М.
Published: (2012)
by: Балабай, Р.М.
Published: (2012)
Оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-Si1−xGex:H (x = 0−1), полученных плазмохимическим осаждением
by: Najafov, B. A., et al.
Published: (2018)
by: Najafov, B. A., et al.
Published: (2018)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
by: Mostovyi, A. I., et al.
Published: (2013)
by: Mostovyi, A. I., et al.
Published: (2013)
Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
by: Kondrik, A. I.
Published: (2016)
by: Kondrik, A. I.
Published: (2016)
Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe
by: Kondrik, Alexandr, et al.
Published: (2022)
by: Kondrik, Alexandr, et al.
Published: (2022)
Наноструктурування поверхні гетероепітаксіальної плівки CdHgTe методом йонної імплантації Ag⁺
by: Удовицька, Р.С.
Published: (2015)
by: Удовицька, Р.С.
Published: (2015)
Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
by: Kondrik, Alexander, et al.
Published: (2019)
by: Kondrik, Alexander, et al.
Published: (2019)
Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V
by: Kondrik, Оleksandr, et al.
Published: (2023)
by: Kondrik, Оleksandr, et al.
Published: (2023)
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
by: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Published: (2010)
by: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Published: (2010)
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
by: Kutniy, V. E., et al.
Published: (2005)
by: Kutniy, V. E., et al.
Published: (2005)
Study of the morphology of p-CdHgTe layers structured by grazing silver-ion beam irradiation
by: A. B. Smirnov, et al.
Published: (2015)
by: A. B. Smirnov, et al.
Published: (2015)
Study of the morphology of p-CdHgTe layers structured by grazing silver-ion beam irradiation
by: O. B. Smirnov, et al.
Published: (2015)
by: O. B. Smirnov, et al.
Published: (2015)
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
by: Власенко, А.И., et al.
Published: (2001)
by: Власенко, А.И., et al.
Published: (2001)
Тепловизор на основе матричного фотоприемного устройства из 128×128 CdHgTe-фотодиодов
by: Рева, В.П., et al.
Published: (2010)
by: Рева, В.П., et al.
Published: (2010)
Similar Items
-
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
by: Власенко, А.И., et al.
Published: (2004) -
Дослiдження морфологiї шарiв p-CdHgTe структурованих ковзним опромiненням iонами срiбла
by: Smirnov, A. B., et al.
Published: (2019) -
Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
by: Tsybrii, Z. F., et al.
Published: (2017) -
Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
by: Yakovkin, I.N.
Published: (2021) -
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4
by: Voitsekhovskii, A. V., et al.
Published: (2005)