Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе
By means of computer modeling, the carrier lifetime and mobility, as well as the resistivity of CdxZn1–xTe:Cl material, were investigated in order to determine the optimal combination of these properties and the molar fraction of CdTe that would provide maximum charge collection efficiency in γ-radi...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.17 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1864036383457280000 |
|---|---|
| author | Kondrik, A. I. |
| author_facet | Kondrik, A. I. |
| author_sort | Kondrik, A. I. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-01T12:20:04Z |
| description | By means of computer modeling, the carrier lifetime and mobility, as well as the resistivity of CdxZn1–xTe:Cl material, were investigated in order to determine the optimal combination of these properties and the molar fraction of CdTe that would provide maximum charge collection efficiency in γ-radiation detectors based on this material. A typical impurity composition, independent of the preparation method, was taken as the starting point. It is shown that the studied material must be inhomogeneous, and an approximate distribution of its properties in the interelectrode space of the detector has been established. |
| first_indexed | 2026-05-02T01:00:23Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1100 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-02T01:00:23Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-11002026-05-01T12:20:04Z Modeling of CdZnTe properties and parameters of γ-radiation detectors based on it Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе Kondrik, A. I. detectors ionizing radiation modeling semiconductors детекторы ионизирующие излучения моделирование полупроводники By means of computer modeling, the carrier lifetime and mobility, as well as the resistivity of CdxZn1–xTe:Cl material, were investigated in order to determine the optimal combination of these properties and the molar fraction of CdTe that would provide maximum charge collection efficiency in γ-radiation detectors based on this material. A typical impurity composition, independent of the preparation method, was taken as the starting point. It is shown that the studied material must be inhomogeneous, and an approximate distribution of its properties in the interelectrode space of the detector has been established. Методом компьютерного моделирования исследовано время жизни и подвижность носителей заряда, удельное сопротивление материала CdxZn1–xTe:Cl с целью поиска такого сочетания этих свойств и мольной доли CdTe, чтобы получить максимальную эффективность сбора зарядов в детекторе γ-излучения на основе этого материала. В качестве исходного принят типичный примесный состав, не зависящий от способа получения. Показано, что исследованный материал должен быть неоднородным, и установлено приблизительное распределение его свойств в межэлектродном пространстве детектора. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.17 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2004): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 17-22 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 17-22 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.17/1005 Copyright (c) 2004 Kondrik A. I. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | детекторы ионизирующие излучения моделирование полупроводники Kondrik, A. I. Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе |
| title | Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе |
| title_alt | Modeling of CdZnTe properties and parameters of γ-radiation detectors based on it |
| title_full | Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе |
| title_fullStr | Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе |
| title_full_unstemmed | Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе |
| title_short | Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе |
| title_sort | моделирование свойств cdznte и параметров детекторов γ-излучения на его основе |
| topic | детекторы ионизирующие излучения моделирование полупроводники |
| topic_facet | detectors ionizing radiation modeling semiconductors детекторы ионизирующие излучения моделирование полупроводники |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.17 |
| work_keys_str_mv | AT kondrikai modelingofcdzntepropertiesandparametersofgradiationdetectorsbasedonit AT kondrikai modelirovaniesvojstvcdznteiparametrovdetektorovgizlučeniânaegoosnove |