КМОП БИС 16-разрядного микропроцессора, устойчивого к воздействию γ-радиации
The results of design and testing of the CMOS IC 1834VM86 16-bit microprocessor (a functional analogue of the n-channel IC 1810VM86) under exposure to accumulated γ-radiation doses up to 10⁶ rad are presented. The structural features of the elements and the technological process of manufacturing rad...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.40 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1864036383540117504 |
|---|---|
| author | Verbitsky, V. G. Zolotarevsky, V. I. Samotovka, L. I. Balay, B. A. Voshchinkin, A. F. Koba, V. L. Tovmach, E. S. Yavetsky, A. A. |
| author_facet | Verbitsky, V. G. Zolotarevsky, V. I. Samotovka, L. I. Balay, B. A. Voshchinkin, A. F. Koba, V. L. Tovmach, E. S. Yavetsky, A. A. |
| author_sort | Verbitsky, V. G. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-01T12:20:04Z |
| description | The results of design and testing of the CMOS IC 1834VM86 16-bit microprocessor (a functional analogue of the n-channel IC 1810VM86) under exposure to accumulated γ-radiation doses up to 10⁶ rad are presented. The structural features of the elements and the technological process of manufacturing radiation-resistant ICs are discussed. Values of the main electrical parameters of the IC and threshold voltages of n-channel transistors before and after radiation-thermal treatments during crystal fabrication are provided. |
| first_indexed | 2026-05-02T01:00:23Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1107 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-02T01:00:23Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-11072026-05-01T12:20:04Z CMOS IC of a 16-bit microprocessor resistant to γ-radiation КМОП БИС 16-разрядного микропроцессора, устойчивого к воздействию γ-радиации Verbitsky, V. G. Zolotarevsky, V. I. Samotovka, L. I. Balay, B. A. Voshchinkin, A. F. Koba, V. L. Tovmach, E. S. Yavetsky, A. A. CMOS IC n- and p-channel MOS transistors radiation resistance γ-radiation microprocessor electrical parameters КМОП БИС n- и р-канальные МОП-транзисторы радиационная стойкость γ-излучение микропроцессор электрические параметры The results of design and testing of the CMOS IC 1834VM86 16-bit microprocessor (a functional analogue of the n-channel IC 1810VM86) under exposure to accumulated γ-radiation doses up to 10⁶ rad are presented. The structural features of the elements and the technological process of manufacturing radiation-resistant ICs are discussed. Values of the main electrical parameters of the IC and threshold voltages of n-channel transistors before and after radiation-thermal treatments during crystal fabrication are provided. Приведены результаты проектирования и испытаний КМОП БИС 1834ВМ86 16-разрядного микропроцессора (функционального аналога n-канальной БИС 1810ВМ86) при воздействии накопленной дозы γ-радиации до 106 рад. Рассмотрены особенности конструкции элементов, технологического процесса изготовления радиационно стойких БИС. Представлены значения основных электрических параметров БИС и пороговых напряжений n-канальных транзисторов до и после применения радиационно-термических обработок в процессе изготовления кристалла. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.40 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2004): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 40-44 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 40-44 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.40/1012 Copyright (c) 2004 Verbitsky V. G., Zolotarevsky V. I., Samotovka L. I., Balay B. A., Voshchinkin A. F., Koba V. L., Tovmach E. S., Yavetsky A. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | КМОП БИС n- и р-канальные МОП-транзисторы радиационная стойкость γ-излучение микропроцессор электрические параметры Verbitsky, V. G. Zolotarevsky, V. I. Samotovka, L. I. Balay, B. A. Voshchinkin, A. F. Koba, V. L. Tovmach, E. S. Yavetsky, A. A. КМОП БИС 16-разрядного микропроцессора, устойчивого к воздействию γ-радиации |
| title | КМОП БИС 16-разрядного микропроцессора, устойчивого к воздействию γ-радиации |
| title_alt | CMOS IC of a 16-bit microprocessor resistant to γ-radiation |
| title_full | КМОП БИС 16-разрядного микропроцессора, устойчивого к воздействию γ-радиации |
| title_fullStr | КМОП БИС 16-разрядного микропроцессора, устойчивого к воздействию γ-радиации |
| title_full_unstemmed | КМОП БИС 16-разрядного микропроцессора, устойчивого к воздействию γ-радиации |
| title_short | КМОП БИС 16-разрядного микропроцессора, устойчивого к воздействию γ-радиации |
| title_sort | кмоп бис 16-разрядного микропроцессора, устойчивого к воздействию γ-радиации |
| topic | КМОП БИС n- и р-канальные МОП-транзисторы радиационная стойкость γ-излучение микропроцессор электрические параметры |
| topic_facet | CMOS IC n- and p-channel MOS transistors radiation resistance γ-radiation microprocessor electrical parameters КМОП БИС n- и р-канальные МОП-транзисторы радиационная стойкость γ-излучение микропроцессор электрические параметры |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.40 |
| work_keys_str_mv | AT verbitskyvg cmosicofa16bitmicroprocessorresistanttogradiation AT zolotarevskyvi cmosicofa16bitmicroprocessorresistanttogradiation AT samotovkali cmosicofa16bitmicroprocessorresistanttogradiation AT balayba cmosicofa16bitmicroprocessorresistanttogradiation AT voshchinkinaf cmosicofa16bitmicroprocessorresistanttogradiation AT kobavl cmosicofa16bitmicroprocessorresistanttogradiation AT tovmaches cmosicofa16bitmicroprocessorresistanttogradiation AT yavetskyaa cmosicofa16bitmicroprocessorresistanttogradiation AT verbitskyvg kmopbis16razrâdnogomikroprocessoraustojčivogokvozdejstviûgradiacii AT zolotarevskyvi kmopbis16razrâdnogomikroprocessoraustojčivogokvozdejstviûgradiacii AT samotovkali kmopbis16razrâdnogomikroprocessoraustojčivogokvozdejstviûgradiacii AT balayba kmopbis16razrâdnogomikroprocessoraustojčivogokvozdejstviûgradiacii AT voshchinkinaf kmopbis16razrâdnogomikroprocessoraustojčivogokvozdejstviûgradiacii AT kobavl kmopbis16razrâdnogomikroprocessoraustojčivogokvozdejstviûgradiacii AT tovmaches kmopbis16razrâdnogomikroprocessoraustojčivogokvozdejstviûgradiacii AT yavetskyaa kmopbis16razrâdnogomikroprocessoraustojčivogokvozdejstviûgradiacii |