Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей
A semi-analytical method for determining the parameters of high electron mobility transistors is presented, which requires only data on the transistor’s S-parameters measured over a wide frequency range. The main aspects of model decomposition are described. An example of amplifier construction is g...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.49 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1864036385625735168 |
|---|---|
| author | Yemtsev, P. A. |
| author_facet | Yemtsev, P. A. |
| author_sort | Yemtsev, P. A. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-01T12:20:04Z |
| description | A semi-analytical method for determining the parameters of high electron mobility transistors is presented, which requires only data on the transistor’s S-parameters measured over a wide frequency range. The main aspects of model decomposition are described. An example of amplifier construction is given to verify the adequacy of the model. |
| first_indexed | 2026-05-02T01:00:25Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1109 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-02T01:00:25Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-11092026-05-01T12:20:04Z Small-signal transistor model in the design of microwave low-noise amplifiers Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей Yemtsev, P. A. high electron mobility transistor modeling parameter determination транзистор с высокой подвижностью электронов моделирование определение параметров A semi-analytical method for determining the parameters of high electron mobility transistors is presented, which requires only data on the transistor’s S-parameters measured over a wide frequency range. The main aspects of model decomposition are described. An example of amplifier construction is given to verify the adequacy of the model. Приводится полуаналитическая методика определения параметров транзисторов с высокой подвижностью электронов, предусматривающая применение данных лишь об S-параметрах транзистора, измеренных в широком диапазоне частот. Даются основные сведения о декомпозиции модели. Приводится пример построения усилителя для проверки адекватности модели. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.49 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2004): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 49-51 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 49-51 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.49/1014 Copyright (c) 2004 Yemtsev P. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | транзистор с высокой подвижностью электронов моделирование определение параметров Yemtsev, P. A. Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей |
| title | Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей |
| title_alt | Small-signal transistor model in the design of microwave low-noise amplifiers |
| title_full | Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей |
| title_fullStr | Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей |
| title_full_unstemmed | Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей |
| title_short | Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей |
| title_sort | малосигнальная модель транзистора в разработке свч малошумящих усилителей |
| topic | транзистор с высокой подвижностью электронов моделирование определение параметров |
| topic_facet | high electron mobility transistor modeling parameter determination транзистор с высокой подвижностью электронов моделирование определение параметров |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.49 |
| work_keys_str_mv | AT yemtsevpa smallsignaltransistormodelinthedesignofmicrowavelownoiseamplifiers AT yemtsevpa malosignalʹnaâmodelʹtranzistoravrazrabotkesvčmalošumâŝihusilitelej |