Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей

• Datum: 2004
• 1. Verfasser: Yemtsev, P. A.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004
• Schlagworte: транзистор с высокой подвижностью электронов; моделирование; определение параметров
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.49
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

A semi-analytical method for determining the parameters of high electron mobility transistors is presented, which requires only data on the transistor’s S-parameters measured over a wide frequency range. The main aspects of model decomposition are described. An example of amplifier construction is g...