Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей

• Дата: 2004
• Автор: Yemtsev, P. A.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004
• Теми: транзистор с высокой подвижностью электронов; моделирование; определение параметров
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.49
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

A semi-analytical method for determining the parameters of high electron mobility transistors is presented, which requires only data on the transistor’s S-parameters measured over a wide frequency range. The main aspects of model decomposition are described. An example of amplifier construction is g...