Електричні властивості фотогальванічного елемента з вбудованим позисторним шаром на основі полімерного нанокомпозиту з вуглецевим наповнювачем

The study considers the problem of preventing overheat and thermal breakdown of a photovoltaic cell when a high reverse voltage is applied to its p–n junction. The overvoltage protection ability of a structure made up of a photovoltaic cell in direct thermal contact with a built-in posistor layer ha...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2020
Hauptverfasser: Ivanchenko, Alexander, Tonkoshkur, Alexander
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2020
Schlagworte:
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2020.1-2.30
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge