Buchumschlag

Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры

The influence of local anisotropic pressure on a silicon MOS structure has been investigated. It is shown that the increase in inversion capacitance is associated not only with the growth of positive carriers in the oxide at the Si–SiO interface under the influence of local pressure, but also with t...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2004
Hauptverfasser:	Gasanov, A. M., Kasimov, F. D., Lutfalibekova, A. E.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004
Schlagworte:	негатрон МОП-структура локальное давление упругие механические напряжения ширина запрещенной зоны
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.5.29
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
von: Гасанов, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Направленная кристаллизация силицидных пленок на кремниевой подложке
von: Belousov, I. V.
Veröffentlicht: (2007)

Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
von: Leonov, N. I., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
von: Abyzov, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2004)

УСЛОВИЯ ВОЗНИКНОВЕНИЯ И РОСТА ТРЕЩИН В РОТОРЕ ТУРБОГЕНЕРАТОРА ВСЛЕДСТВИЕ ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ В АНОРМАЛЬНЫХ РЕЖИМАХ
von: Tитко , A.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)

УСЛОВИЯ ВОЗНИКНОВЕНИЯ И РОСТА ТРЕЩИН В РОТОРЕ ТУРБОГЕНЕРАТОРА ВСЛЕДСТВИЕ ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ В АНОРМАЛЬНЫХ РЕЖИМАХ
von: Tитко , A.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
von: Perevertaylo, V. L.
Veröffentlicht: (2010)

Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
von: Baranov, V. V.
Veröffentlicht: (2005)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al–SiO2–Si
von: Iskender-zade, Z. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Аналоги негатронов для защиты мощной цепи от перегрузки
von: Negodenko, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
von: Gulyaev, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование функций преобразования и чувствительности радиоизмерительного преобразователя давления
von: Osadchuk, V. S., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
von: Rubtsevich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Индуктивный негасенсор
von: Voytscekhovskaya, Ye. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЧАСТОТЫ С ПРОМЕЖУТОЧНЫМ ЗВЕНОМ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ ДЛЯ АВТОНОМНОЙ СИСТЕМЫ ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ
von: Коробков , Д.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЧАСТОТЫ С ПРОМЕЖУТОЧНЫМ ЗВЕНОМ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ ДЛЯ АВТОНОМНОЙ СИСТЕМЫ ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ
von: Коробков , Д.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Venger, E. F., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Влияние мощности примесных барьеров на пластическую деформацию бинарных сплавов свинца в нормальном и сверхпроводящем состояниях
von: Солдатов, В.П., et al.
Veröffentlicht: (1996)

Влияние ориентационного упорядочения молекул на подвижность дислокаций в фуллерите C₆₀
von: Нацик, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (1996)

Универсальная схема управления мощными высоковольтными МОП-инверторами, исключающая тиристорный эффект
von: Gavrilyuk, G. I., et al.
Veröffentlicht: (2005)

КОМП'ЮТЕРНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ДВОМАСОВОЇ ЕЛЕКТРОМЕХАНІЧНОЇ СИСТЕМИ ПРОКАТНОГО СТАНУ
von: Пушкин, Артем Александрович, et al.
Veröffentlicht: (2008)

Первичные преобразователи для микродатчиков ускорения и давления на алмазных материалах
von: Altuchov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Ультразвуковая очистка оптико-механических систем
von: Tomal, V. S.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ ВОДНЫХ ТРИИНГОВ НА ПЛОТНОСТИ ТОКОВ И ДАВЛЕНИЯ, ВОЗНИКАЮЩИЕ В ПОЛИЭТИЛЕНОВОЙ ИЗОЛЯЦИИ
von: Щерба, М.А.
Veröffentlicht: (2016)

ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ ВОДНЫХ ТРИИНГОВ НА ПЛОТНОСТИ ТОКОВ И ДАВЛЕНИЯ, ВОЗНИКАЮЩИЕ В ПОЛИЭТИЛЕНОВОЙ ИЗОЛЯЦИИ
von: Щерба, М.А.
Veröffentlicht: (2016)

Приборное обеспечение измерения параметров ультразвуковых воздействий в технологических процессах
von: Lanin, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2008)

АНАЛІЗ СУЧАСНИХ ДОСЯГНЕНЬ В ГАЛУЗІ ПОБУДОВИ РАДІОЧАСТОТНИХ СЕНСОРІВ
von: Лазарєв, О. О., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Полупроводниковые индуктивности для СВЧ-диапазона
von: Filynyuk, N. А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов
von: Бабичев, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов
von: Babichev, G. G., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры
von: Рахматов, А.З.
Veröffentlicht: (2013)

Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2013)

Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2013)