Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры

The influence of local anisotropic pressure on a silicon MOS structure has been investigated. It is shown that the increase in inversion capacitance is associated not only with the growth of positive carriers in the oxide at the Si–SiO interface under the influence of local pressure, but also with t...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Datum:2004
Hauptverfasser: Gasanov, A. M., Kasimov, F. D., Lutfalibekova, A. E.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004
Schlagworte:
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.5.29
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Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

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