Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
The influence of local anisotropic pressure on a silicon MOS structure has been investigated. It is shown that the increase in inversion capacitance is associated not only with the growth of positive carriers in the oxide at the Si–SiO interface under the influence of local pressure, but also with t...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.5.29 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |