Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа
The assembly processes of MOSFET transistors in the SMD-1 metal-ceramic package were investigated in comparison with the SMD-220 metal-plastic package. Results regarding electrical and thermal parameters are presented. It is shown that the “p-n junction–package” thermal resistance is higher for SMD-...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.5.54 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1864489363572785152 |
|---|---|
| author | Rubtsevitch, I. I. Anufriev, L. P. Kerentsev, A. F. |
| author_facet | Rubtsevitch, I. I. Anufriev, L. P. Kerentsev, A. F. |
| author_sort | Rubtsevitch, I. I. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-06T11:52:10Z |
| description | The assembly processes of MOSFET transistors in the SMD-1 metal-ceramic package were investigated in comparison with the SMD-220 metal-plastic package. Results regarding electrical and thermal parameters are presented. It is shown that the “p-n junction–package” thermal resistance is higher for SMD-1; however, the thermal conductivity consistency of the SMD-1 package components allows for the manufacture of devices with minimal internal stresses and ensures their high hermeticity and reliability under conditions of temperature fluctuations exceeding 300°C. |
| first_indexed | 2026-05-07T01:00:19Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1128 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-07T01:00:19Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-11282026-05-06T11:52:10Z Study of MOSFET transistors in various hermetic surface-mount packages Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа Rubtsevitch, I. I. Anufriev, L. P. Kerentsev, A. F. MOSFET transistor metal-ceramic package surface mounting package hermeticity transistor thermal resistance MOSFET-транзистор металлокерамический корпус поверхностный монтаж герметичность корпуса тепловое сопротивление транзистора The assembly processes of MOSFET transistors in the SMD-1 metal-ceramic package were investigated in comparison with the SMD-220 metal-plastic package. Results regarding electrical and thermal parameters are presented. It is shown that the “p-n junction–package” thermal resistance is higher for SMD-1; however, the thermal conductivity consistency of the SMD-1 package components allows for the manufacture of devices with minimal internal stresses and ensures their high hermeticity and reliability under conditions of temperature fluctuations exceeding 300°C. Исследованы процессы сборки MOSFET-транзисторов в металлокерамическом корпусе SMD-1 в сравнении с металлопластиковым корпусом SMD-220. Представлены результаты по электрическим и тепловым параметрам. Показано, что тепловое сопротивление "p-n-переход – корпус" выше для SMD-1, однако согласованность по ТКЛР элементов корпуса SMD-1 позволяет изготавливать приборы с минимальными внутренними напряжениями и обеспечивать их высокую герметичность и надежность в условиях воздействия перепадов температур более 300°С. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004-10-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.5.54 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2004): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 54-55 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 54-55 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.5.54/1030 Copyright (c) 2004 I. I. Rubtsevitch, L. P. Anufriev, A. F. Kerentsev http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | MOSFET-транзистор металлокерамический корпус поверхностный монтаж герметичность корпуса тепловое сопротивление транзистора Rubtsevitch, I. I. Anufriev, L. P. Kerentsev, A. F. Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа |
| title | Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа |
| title_alt | Study of MOSFET transistors in various hermetic surface-mount packages |
| title_full | Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа |
| title_fullStr | Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа |
| title_full_unstemmed | Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа |
| title_short | Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа |
| title_sort | исследование mosfet-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа |
| topic | MOSFET-транзистор металлокерамический корпус поверхностный монтаж герметичность корпуса тепловое сопротивление транзистора |
| topic_facet | MOSFET transistor metal-ceramic package surface mounting package hermeticity transistor thermal resistance MOSFET-транзистор металлокерамический корпус поверхностный монтаж герметичность корпуса тепловое сопротивление транзистора |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.5.54 |
| work_keys_str_mv | AT rubtsevitchii studyofmosfettransistorsinvarioushermeticsurfacemountpackages AT anufrievlp studyofmosfettransistorsinvarioushermeticsurfacemountpackages AT kerentsevaf studyofmosfettransistorsinvarioushermeticsurfacemountpackages AT rubtsevitchii issledovaniemosfettranzistorovvrazličnyhgermetičnyhkorpusahdlâpoverhnostnogomontaža AT anufrievlp issledovaniemosfettranzistorovvrazličnyhgermetičnyhkorpusahdlâpoverhnostnogomontaža AT kerentsevaf issledovaniemosfettranzistorovvrazličnyhgermetičnyhkorpusahdlâpoverhnostnogomontaža |