Зображення обкладинки

Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа

The assembly processes of MOSFET transistors in the SMD-1 metal-ceramic package were investigated in comparison with the SMD-220 metal-plastic package. Results regarding electrical and thermal parameters are presented. It is shown that the “p-n junction–package” thermal resistance is higher for SMD-...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2004
Автори:	Rubtsevitch, I. I., Anufriev, L. P., Kerentsev, A. F.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004
Теми:	MOSFET-транзистор металлокерамический корпус поверхностный монтаж герметичность корпуса тепловое сопротивление транзистора
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.5.54
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Поверхностный монтаж мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов
за авторством: Anufriev, D. L., та інші
Опубліковано: (2006)

Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа
за авторством: Рубцевич, И.И., та інші
Опубліковано: (2004)

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
за авторством: Turtsevich, A. S., та інші
Опубліковано: (2012)

Электрические соединители для поверхностного непаяного монтажа
за авторством: Yefimenko, A. A.
Опубліковано: (2012)

ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
за авторством: Ковбаса, С.М., та інші
Опубліковано: (2025)

CFD-моделирование радиатора для воздушного охлаждения микропроцессоров в ограниченном пространстве
за авторством: Trofimov, V. E., та інші
Опубліковано: (2016)

Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Влагоустойчивость транзисторов в пластмассовых корпусах на основе эпоксинаволачных смол
за авторством: Ануфриев, Л.П., та інші
Опубліковано: (2001)

Модель алмазного транзистора
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Surface mounting of unpackaged power MOSFET
за авторством: D. L. Anufriev, та інші
Опубліковано: (2006)

USING MOSFET-TRANSISTORS IN SOLAR PANELS
за авторством: Bondarenko, D.
Опубліковано: (2022)

Исследование процесса монтажа кристаллов мощных транзисторов вибрационной пайкой
за авторством: Ануфриев, Л.П., та інші
Опубліковано: (2000)

Experimental electromagnetic compatibility of conducted electromagnetic interferences from an IGBT and a MOSFET in the power supply
за авторством: Lahlaci, M. E., та інші
Опубліковано: (2024)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2010)

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
за авторством: Perevertaylo, V. L.
Опубліковано: (2010)

Влияние легирующих добавок на теплостойкость и теплопередачу никелевых покрытий корпусов ИС
за авторством: Novosyadly, S. P., та інші
Опубліковано: (2008)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)

Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2013)

ВТРАТИ ЕНЕРГІЇ В БАГАТОКОМІРКОВИХ ТРАНЗИСТОРНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧАХ ДЛЯ КОНТАКТНОГО ЗВАРЮВАННЯ
за авторством: Бондаренко, О.Ф., та інші
Опубліковано: (2015)

ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО ЭФФЕКТА В ФЕРРОМАГНЕТИКЕ ПРИ СИНУСОИДАЛЬНОМ МАГНИТНОМ ПОТОКЕ
за авторством: Петухов, И.С.
Опубліковано: (2013)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)

Оптимизация расположения межслойных переходов на группе проводников
за авторством: Knop, K. A., та інші
Опубліковано: (2015)

Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса
за авторством: Ushenin, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Design of LLC resonant converter with silicon carbide MOSFET switches and nonlinear adaptive sliding controller for brushless DC motor system
за авторством: Merlin Suba, G., та інші
Опубліковано: (2022)

Применение ионоселективных полевых транзисторов для ферментного анализа токсичных примесей в водных растворах
за авторством: Pavluchenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Монтаж микросборок с подложкой из кремния
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2005)

Оценка эффективности использования суперкавитации на осесимметричных корпусах
за авторством: Савченко, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2004)

Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах
за авторством: Vikulin, Ivan, та інші
Опубліковано: (2023)

Фундаментальні обмеження для довжини каналу провідності MOSFET з урахуванням реального вигляду бар’єрного потенціалу
за авторством: Strikha, M.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Development of a boost-inverter converter under electromagnetic compatibility stress equipping a photovoltaic generator
за авторством: Bechekir, S., та інші
Опубліковано: (2023)

ОЦЕНКА СРОКОВ СЛУЖБЫ ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛЕЙ, РАБОТАЮЩИХ В ПОВТОРНО-КРАТКОВРЕМЕННЫХ РЕЖИМАХ
за авторством: Федоров, М.М., та інші
Опубліковано: (2012)

МОЩНЫЕ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ КОММУТАТОРАМИ
за авторством: Бойко, Н.И.
Опубліковано: (2014)

Анализ взаимной емкости и индуктивности печатного монтажа
за авторством: Иванов, В.Г.
Опубліковано: (2014)

ОПТИМИЗАЦИЯ ПРОЦЕССА СХОДИМОСТИ ПЕРИОДИЧЕСКОГО РЕШЕНИЯ ПРИ МОДЕЛИРОВАНИИ НЕЛИНЕЙНОГО ПОВЕРХНОСТНОГО ЭФФЕКТА МЕТОДОМ КОНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
за авторством: Петухов, И.С.
Опубліковано: (2016)

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2004)

Допускаемое давление для заполнителя герметичных муфт, используемых при ремонте магистральных трубопроводов
за авторством: Махненко, В.И., та інші
Опубліковано: (2011)

Метод оптимизации массогабаритных показателей при компоновке герметичных блоков бортовых радиоэлектронных аппаратов
за авторством: Крищук, В.М., та інші
Опубліковано: (2016)

Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
за авторством: Leonov, N. I., та інші
Опубліковано: (2006)

Физические имитаторы мощных транзисторов
за авторством: Стевич, З.
Опубліковано: (2000)