Вплив гетерування на процес формування алюмінієвого омічного контакту

The study considers the reasons and mechanisms of degradation of reverse characteristics of varicaps with aluminum-based ohmic contacts. The authors present and analyze the experimental results on how gettering affects the reverse current of varicaps, as well as possible mechanisms of such effect. G...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2020
Автори:	Litvinenko, Victor, Baganov, Yevgen, Vikulin, Ivan, Gorbachev, Victor
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2020
Теми:	алюміній омічний контакт гетерування варикап дефекти зворотний струм
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2020.1-2.45
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-113
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-1132025-08-02T16:35:49Z Influence of gettering on aluminum ohmic contact formation Вплив гетерування на процес формування алюмінієвого омічного контакту Litvinenko, Victor Baganov, Yevgen Vikulin, Ivan Gorbachev, Victor aluminum ohmic contact gettering varicap defects reverse current алюміній омічний контакт гетерування варикап дефекти зворотний струм The study considers the reasons and mechanisms of degradation of reverse characteristics of varicaps with aluminum-based ohmic contacts. The authors present and analyze the experimental results on how gettering affects the reverse current of varicaps, as well as possible mechanisms of such effect. Gettering was performed with a getter site created on the back side of the substrate before the epitaxial layer is deposited on the working side of the substrate. The article demonstrates that the proposed technology using gettering is rather effective in reducing the level of reverse currents and in increasing the yield of devices. Варикапи широко використовуються в радіоелектроніці як змінна ємність, величина якої керується напругою. Однак слід зазначити, що вартість варикапів залишається порівняно високою. Це викликано низьким виходом придатних приладів внаслідок високого рівня зворотних струмів і низьких пробивних напруг варикапів, що пов'язано з істотною залежністю їхніх зворотних характеристик від щільності структурних дефектів і сторонніх домішок у структурах варикапів.Роботу присвячено з’ясуванню причин та механізмів деградації зворотних характеристик варикапів з омічним контактом на основі алюмінію в процесі відпалу плівки алюмінію під час формування омічного контакту, а також ви¬значенню можливості застосування операцій гетерування для запобігання деградації зворотних характеристик варикапів і підвищення виходу придатних приладів.Встановлено, що причиною деградації зворотних характеристик варикапів з омічним контактом на основі алюмінію є структурні дефекти, що утворюються в активних областях варикапів у процесі проведення високотемпературних технологічних операцій.Докладно розглянуто запропоновану технологію виготовлення структур варикапів з омічним контактом на основі алюмінію із застосуванням гетерування областю гетера, створеною на зворотній стороні пластини перед осадженням на її робочу сторону епітаксійного шару. Розглянуто причини та механізми деградації зворотних характеристик варикапів з омічним контактом на основі алюмінію в процесі відпалу плівки алюмінію під час формування омічного контакту.Показано, що розроблена технологія виготовлення структур варикапів із застосуванням гетерування дозволяє очистити активні області варикапів від зародків дефектів та небажаних домішок і запобігти утворенню в них структурних дефектів, що унеможливлює локальне проникнення алюмінію в область p-n-переходу та забезпечує суттєве зниження рівня зворотних струмів варикапів і підвищення виходу придатних приладів. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2020-04-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2020.1-2.45 10.15222/TKEA2020.1-2.45 Technology and design in electronic equipment; No. 1–2 (2020): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 45-50 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1–2 (2020): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 45-50 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2020.1-2 en https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2020.1-2.45/103 Copyright (c) 2020 Litvinenko V. N., Baganov Ye. A., Vikulin І. M., Gorbachev V. E. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-08-02T16:35:49Z
collection	OJS
language	English
topic	алюміній омічний контакт гетерування варикап дефекти зворотний струм
spellingShingle	алюміній омічний контакт гетерування варикап дефекти зворотний струм Litvinenko, Victor Baganov, Yevgen Vikulin, Ivan Gorbachev, Victor Вплив гетерування на процес формування алюмінієвого омічного контакту
topic_facet	aluminum ohmic contact gettering varicap defects reverse current алюміній омічний контакт гетерування варикап дефекти зворотний струм
format	Article
author	Litvinenko, Victor Baganov, Yevgen Vikulin, Ivan Gorbachev, Victor
author_facet	Litvinenko, Victor Baganov, Yevgen Vikulin, Ivan Gorbachev, Victor
author_sort	Litvinenko, Victor
title	Вплив гетерування на процес формування алюмінієвого омічного контакту
title_short	Вплив гетерування на процес формування алюмінієвого омічного контакту
title_full	Вплив гетерування на процес формування алюмінієвого омічного контакту
title_fullStr	Вплив гетерування на процес формування алюмінієвого омічного контакту
title_full_unstemmed	Вплив гетерування на процес формування алюмінієвого омічного контакту
title_sort	вплив гетерування на процес формування алюмінієвого омічного контакту
title_alt	Influence of gettering on aluminum ohmic contact formation
description	The study considers the reasons and mechanisms of degradation of reverse characteristics of varicaps with aluminum-based ohmic contacts. The authors present and analyze the experimental results on how gettering affects the reverse current of varicaps, as well as possible mechanisms of such effect. Gettering was performed with a getter site created on the back side of the substrate before the epitaxial layer is deposited on the working side of the substrate. The article demonstrates that the proposed technology using gettering is rather effective in reducing the level of reverse currents and in increasing the yield of devices.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2020
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2020.1-2.45
work_keys_str_mv	AT litvinenkovictor influenceofgetteringonaluminumohmiccontactformation AT baganovyevgen influenceofgetteringonaluminumohmiccontactformation AT vikulinivan influenceofgetteringonaluminumohmiccontactformation AT gorbachevvictor influenceofgetteringonaluminumohmiccontactformation AT litvinenkovictor vplivgeteruvannânaprocesformuvannâalûmíníêvogoomíčnogokontaktu AT baganovyevgen vplivgeteruvannânaprocesformuvannâalûmíníêvogoomíčnogokontaktu AT vikulinivan vplivgeteruvannânaprocesformuvannâalûmíníêvogoomíčnogokontaktu AT gorbachevvictor vplivgeteruvannânaprocesformuvannâalûmíníêvogoomíčnogokontaktu
first_indexed	2025-09-24T17:30:14Z
last_indexed	2025-09-24T17:30:14Z
_version_	1850410196895006720

Вплив гетерування на процес формування алюмінієвого омічного контакту

Репозитарії

Схожі ресурси