Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
Among the semiconductors used in spectrometers and dosimeters, wide-bandgap compounds such asCd1-xZnxTe, CdTe, and HgI2 occupy leading positions. The question arises as to whether this choice is definitive and optimal. In an attempt to answer this question, physical parameters critical to the detect...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.03 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1865304751689695232 |
|---|---|
| author | Abyzov, A. S. Azhazha, V. M. Davydov, L. N. Kovtun, G. P. Kutny, V. E. Rybka, A. V. |
| author_facet | Abyzov, A. S. Azhazha, V. M. Davydov, L. N. Kovtun, G. P. Kutny, V. E. Rybka, A. V. |
| author_sort | Abyzov, A. S. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-15T19:36:50Z |
| description | Among the semiconductors used in spectrometers and dosimeters, wide-bandgap compounds such asCd1-xZnxTe, CdTe, and HgI2 occupy leading positions. The question arises as to whether this choice is definitive and optimal. In an attempt to answer this question, physical parameters critical to the detector’s sensitivity were selected. These include, first and foremost, mobility, lifetime, atomic number, and resistivity. Based on the selected parameters, an analysis of binary compounds with a tetrahedral structure was conducted. |
| first_indexed | 2026-05-16T01:00:32Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1151 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-16T01:00:32Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-11512026-05-15T19:36:50Z Selection of semiconductor materials for gamma-ray detectors Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения Abyzov, A. S. Azhazha, V. M. Davydov, L. N. Kovtun, G. P. Kutny, V. E. Rybka, A. V. detector γ-radiation semiconductor compounds bandgap width mobility lifetime atomic number resistivity periodic table of elements детектор γ-излучение полупроводниковые соединения ширина запрещенной зоны подвижность время жизни удельное сопротивление атомный номер периодическая таблица элементов Among the semiconductors used in spectrometers and dosimeters, wide-bandgap compounds such asCd1-xZnxTe, CdTe, and HgI2 occupy leading positions. The question arises as to whether this choice is definitive and optimal. In an attempt to answer this question, physical parameters critical to the detector’s sensitivity were selected. These include, first and foremost, mobility, lifetime, atomic number, and resistivity. Based on the selected parameters, an analysis of binary compounds with a tetrahedral structure was conducted. Среди полупроводников, которые используются в спектрометрах и дозиметрах, ведущие позиции принадлежат широкозонным соединениям Cd1-xZnxTe, CdTe, HgI2. Возникает вопрос, является ли этот выбор окончательным и оптимальным. В попытке ответить на него отобраны физические параметры, критичные для детектирующей способности детектора. Они включают, прежде всего, подвижность, время жизни, атомный номер и удельное сопротивление. На основе выбранных параметров проведен анализ бинарных соединений с тетраэдрической структурой. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.03 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2004): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 3-6 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 3-6 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.03/1051 Copyright (c) 2004 A. S. Abyzov, V. M. Azhazha, L. N. Davydov, G. P. Kovtun, V. E. Kutny, A. V. Rybka http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | детектор γ-излучение полупроводниковые соединения ширина запрещенной зоны подвижность время жизни удельное сопротивление атомный номер периодическая таблица элементов Abyzov, A. S. Azhazha, V. M. Davydov, L. N. Kovtun, G. P. Kutny, V. E. Rybka, A. V. Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения |
| title | Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения |
| title_alt | Selection of semiconductor materials for gamma-ray detectors |
| title_full | Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения |
| title_fullStr | Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения |
| title_full_unstemmed | Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения |
| title_short | Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения |
| title_sort | выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения |
| topic | детектор γ-излучение полупроводниковые соединения ширина запрещенной зоны подвижность время жизни удельное сопротивление атомный номер периодическая таблица элементов |
| topic_facet | detector γ-radiation semiconductor compounds bandgap width mobility lifetime atomic number resistivity periodic table of elements детектор γ-излучение полупроводниковые соединения ширина запрещенной зоны подвижность время жизни удельное сопротивление атомный номер периодическая таблица элементов |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.03 |
| work_keys_str_mv | AT abyzovas selectionofsemiconductormaterialsforgammaraydetectors AT azhazhavm selectionofsemiconductormaterialsforgammaraydetectors AT davydovln selectionofsemiconductormaterialsforgammaraydetectors AT kovtungp selectionofsemiconductormaterialsforgammaraydetectors AT kutnyve selectionofsemiconductormaterialsforgammaraydetectors AT rybkaav selectionofsemiconductormaterialsforgammaraydetectors AT abyzovas vyborpoluprovodnikovogomaterialadlâdetektorovgammaizlučeniâ AT azhazhavm vyborpoluprovodnikovogomaterialadlâdetektorovgammaizlučeniâ AT davydovln vyborpoluprovodnikovogomaterialadlâdetektorovgammaizlučeniâ AT kovtungp vyborpoluprovodnikovogomaterialadlâdetektorovgammaizlučeniâ AT kutnyve vyborpoluprovodnikovogomaterialadlâdetektorovgammaizlučeniâ AT rybkaav vyborpoluprovodnikovogomaterialadlâdetektorovgammaizlučeniâ |