Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения

• Datum: 2004
• Hauptverfasser: Abyzov, A. S., Azhazha, V. M., Davydov, L. N., Kovtun, G. P., Kutny, V. E., Rybka, A. V.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004
• Schlagworte: детектор; γ-излучение; полупроводниковые соединения; ширина запрещенной зоны; подвижность; время жизни; удельное сопротивление; атомный номер; периодическая таблица элементов
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.03
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Among the semiconductors used in spectrometers and dosimeters, wide-bandgap compounds such asCd1-xZnxTe, CdTe, and HgI2 occupy leading positions. The question arises as to whether this choice is definitive and optimal. In an attempt to answer this question, physical parameters critical to the detect...