Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
The phenomenon of photopleochroism in oxide–p-InSe and n+-In₂O₃–p-GaSe heterojunctions was investigated over a wide spectral range. Maximum values of the photopleochroism coefficient (reaching 65% in In₂O₃-GaSe and — 40%) were obtained for the edge absorption of light by the crystals, which coincide...
Saved in:
| Date: | 2004 |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2004
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.07 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1865304750043430912 |
|---|---|
| author | Kovalyuk, Z. D. Katerynchuk, V. M. |
| author_facet | Kovalyuk, Z. D. Katerynchuk, V. M. |
| author_sort | Kovalyuk, Z. D. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-15T19:36:50Z |
| description | The phenomenon of photopleochroism in oxide–p-InSe and n+-In₂O₃–p-GaSe heterojunctions was investigated over a wide spectral range. Maximum values of the photopleochroism coefficient (reaching 65% in In₂O₃-GaSe and — 40%) were obtained for the edge absorption of light by the crystals, which coincides with the emission wavelengths of red ruby (λ = 0.6328 μm) and infrared neodymium (λ = 1.06 μm) lasers, respectively. The investigated heterojunctions can be used to simplify the detection of the azimuthal orientation of linearly polarized light. |
| first_indexed | 2026-05-16T01:00:31Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1152 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-16T01:00:31Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-11522026-05-15T19:36:50Z Semiconductor heterojunctions of oxide-InSe(GaSe) for photoelectric analyzers of polarized radiation Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения Kovalyuk, Z. D. Katerynchuk, V. M. photopleochroism GaSe InSe heterojunction фотоплеохроизм GaSe ІnSe гетеропереход The phenomenon of photopleochroism in oxide–p-InSe and n+-In₂O₃–p-GaSe heterojunctions was investigated over a wide spectral range. Maximum values of the photopleochroism coefficient (reaching 65% in In₂O₃-GaSe and — 40%) were obtained for the edge absorption of light by the crystals, which coincides with the emission wavelengths of red ruby (λ = 0.6328 μm) and infrared neodymium (λ = 1.06 μm) lasers, respectively. The investigated heterojunctions can be used to simplify the detection of the azimuthal orientation of linearly polarized light. В широкой спектральной области исследовано явление фотоплеохроизма в гетеропереходах оксид–p-InSe и n+-In2O3–p-GaSe. Максимальные значения коэффициента фотоплеохроизма (в Іn2O3–GaSe он достигает 65%, а в оксид–ІnSe — 40%) получены для краевого поглощения света кристаллами, которое совпадает с длинами волн излучения соответственно красного рубинового (λ=0,6328 мкм) и инфракрасного неодимового (λ=1,06 мкм) лазеров. Исследованные гетеропереходы могут быть использованы для упрощения регистрации азимутальной ориентации плоскополяризованного света. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.07 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2004): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 7-9 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 7-9 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.07/1052 Copyright (c) 2004 Kovalyuk Z. D., Katerynchuk V. M. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | фотоплеохроизм GaSe ІnSe гетеропереход Kovalyuk, Z. D. Katerynchuk, V. M. Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения |
| title | Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения |
| title_alt | Semiconductor heterojunctions of oxide-InSe(GaSe) for photoelectric analyzers of polarized radiation |
| title_full | Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения |
| title_fullStr | Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения |
| title_full_unstemmed | Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения |
| title_short | Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения |
| title_sort | полупроводниковые гетеропереходы оксид-inse(gase) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения |
| topic | фотоплеохроизм GaSe ІnSe гетеропереход |
| topic_facet | photopleochroism GaSe InSe heterojunction фотоплеохроизм GaSe ІnSe гетеропереход |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.07 |
| work_keys_str_mv | AT kovalyukzd semiconductorheterojunctionsofoxideinsegaseforphotoelectricanalyzersofpolarizedradiation AT katerynchukvm semiconductorheterojunctionsofoxideinsegaseforphotoelectricanalyzersofpolarizedradiation AT kovalyukzd poluprovodnikovyegeteroperehodyoksidinsegasedlâfotoélektričeskihanalizatorovpolârizovannogoizlučeniâ AT katerynchukvm poluprovodnikovyegeteroperehodyoksidinsegasedlâfotoélektričeskihanalizatorovpolârizovannogoizlučeniâ |