Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
The phenomenon of photopleochroism in oxide–p-InSe and n+-In₂O₃–p-GaSe heterojunctions was investigated over a wide spectral range. Maximum values of the photopleochroism coefficient (reaching 65% in In₂O₃-GaSe and — 40%) were obtained for the edge absorption of light by the crystals, which coincide...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.07 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |