Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge
ultrasonic treatment, isochronous annealing, neutron-doped germanium, radiation defects A method is proposed for annealing semiconductors under ultrasonic irradiation (f = 5–10 MHz, W < 10⁴ W/m²). Isochronous annealing of radiation defects was performed on model samples of neutron-doped G...
Gespeichert in:
| Datum: | 2004 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2004
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.09 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1865304751672918016 |
|---|---|
| author | Olikh, Ja. M. Lysiuk, I. O. Tymochko, M. D. |
| author_facet | Olikh, Ja. M. Lysiuk, I. O. Tymochko, M. D. |
| author_sort | Olikh, Ja. M. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-15T19:36:50Z |
| description | ultrasonic treatment, isochronous annealing, neutron-doped germanium, radiation defects
A method is proposed for annealing semiconductors under ultrasonic irradiation (f = 5–10 MHz, W < 10⁴ W/m²). Isochronous annealing of radiation defects was performed on model samples of neutron-doped Ge (Фn ≈ 1015 cm⁻²) (Тan = 90–460 °C, t = 30 min, ΔТan=30°С). Comparative results of measurements of electrophysical parameters (using the Hall method in the range T = 77–300 K) are presented. It was found that the mechanism of ultrasonic interaction boils down to the acceleration of point defect diffusion due to a decrease in activation energy and an increase in the concentration of non-equilibrium defects. |
| first_indexed | 2026-05-16T01:00:31Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1153 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-16T01:00:31Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-11532026-05-15T19:36:50Z Acoustically stimulated reduction of the annealing temperature for radiation defects in Ge crystals Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge Olikh, Ja. M. Lysiuk, I. O. Tymochko, M. D. ultrasonic treatment isochronous annealing neutron-doped germanium radiation defects ультразвуковое воздействие изохронный отжиг нейтронно легированный германий радиационные дефекты ultrasonic treatment, isochronous annealing, neutron-doped germanium, radiation defects A method is proposed for annealing semiconductors under ultrasonic irradiation (f = 5–10 MHz, W < 10⁴ W/m²). Isochronous annealing of radiation defects was performed on model samples of neutron-doped Ge (Фn ≈ 1015 cm⁻²) (Тan = 90–460 °C, t = 30 min, ΔТan=30°С). Comparative results of measurements of electrophysical parameters (using the Hall method in the range T = 77–300 K) are presented. It was found that the mechanism of ultrasonic interaction boils down to the acceleration of point defect diffusion due to a decrease in activation energy and an increase in the concentration of non-equilibrium defects. Предложена методика отжига полупроводников в условиях воздействия ультразвука (f=5÷10 МГц, W<104 Вт/м2). На модельных образцах нейтронно легированного Ge (ГЭС-45, Фn≈1015 см-2) проведен изохронный отжиг радиационных дефектов (Тотж=90÷460°С, t=30 мин, ΔТотж=30°С). Представлены сравнительные результаты измерения электрофизических параметров (методом Холла в диапазоне Т=77÷300 К). Найдено, что механизм УЗ-воздействия сводится к ускорению диффузии точечных дефектов за счет снижения энергии активации и повышения концентрации неравновесных дефектов. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.09 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2004): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 9-13 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 9-13 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.09/1053 Copyright (c) 2004 Ja. M. Olikh, I. O. Lysiuk, M. D. Tymochko http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | ультразвуковое воздействие изохронный отжиг нейтронно легированный германий радиационные дефекты Olikh, Ja. M. Lysiuk, I. O. Tymochko, M. D. Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge |
| title | Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge |
| title_alt | Acoustically stimulated reduction of the annealing temperature for radiation defects in Ge crystals |
| title_full | Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge |
| title_fullStr | Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge |
| title_full_unstemmed | Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge |
| title_short | Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge |
| title_sort | акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах ge |
| topic | ультразвуковое воздействие изохронный отжиг нейтронно легированный германий радиационные дефекты |
| topic_facet | ultrasonic treatment isochronous annealing neutron-doped germanium radiation defects ультразвуковое воздействие изохронный отжиг нейтронно легированный германий радиационные дефекты |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.09 |
| work_keys_str_mv | AT olikhjam acousticallystimulatedreductionoftheannealingtemperatureforradiationdefectsingecrystals AT lysiukio acousticallystimulatedreductionoftheannealingtemperatureforradiationdefectsingecrystals AT tymochkomd acousticallystimulatedreductionoftheannealingtemperatureforradiationdefectsingecrystals AT olikhjam akustostimulirovannoeponiženietemperaturyotžigaradiacionnyhdefektovvkristallahge AT lysiukio akustostimulirovannoeponiženietemperaturyotžigaradiacionnyhdefektovvkristallahge AT tymochkomd akustostimulirovannoeponiženietemperaturyotžigaradiacionnyhdefektovvkristallahge |