Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge

ultrasonic treatment, isochronous annealing, neutron-doped germanium, radiation defects A method is proposed for annealing semiconductors under ultrasonic irradiation (f = 5–10 MHz, W < 10⁴ W/m²). Isochronous annealing of radiation defects was performed on model samples of neutron-doped G...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2004
Автори: Olikh, Ja. M., Lysiuk, I. O., Tymochko, M. D.
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.09
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment