Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов
The operating principle of single-junction strain transistors is discussed. It is shown that the strain sensitivity of a single-junction transistor with a controlled p-n junction is an order of magnitude higher than that of a simple single-junction transistor. It is concluded that the proposed press...
Gespeichert in:
| Datum: | 2004 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2004
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.48 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1865304757702230016 |
|---|---|
| author | Babichev, G. G. Gavrilyuk, G. I. Zinchenko, E. A. Kozlovsky, S. I. Romanov, V. A. Sharan, N. N. |
| author_facet | Babichev, G. G. Gavrilyuk, G. I. Zinchenko, E. A. Kozlovsky, S. I. Romanov, V. A. Sharan, N. N. |
| author_sort | Babichev, G. G. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-15T19:36:50Z |
| description | The operating principle of single-junction strain transistors is discussed. It is shown that the strain sensitivity of a single-junction transistor with a controlled p-n junction is an order of magnitude higher than that of a simple single-junction transistor. It is concluded that the proposed pressure transducer with a frequency output is of practical interest for the creation of devices with increased requirements for noise immunity and measurement accuracy of the information signal. |
| first_indexed | 2026-05-16T01:00:38Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1162 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-16T01:00:38Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-11622026-05-15T19:36:50Z Frequency-output pressure transducer based on single-junction strain transistors Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов Babichev, G. G. Gavrilyuk, G. I. Zinchenko, E. A. Kozlovsky, S. I. Romanov, V. A. Sharan, N. N. pressure transducer strain transistor strain sensitivity control p-n junction noise immunity measurement accuracy output signal silicon преобразователь давления тензотранзистор тензочувствительность управляющий р-n-переход помехозащищенность точность измерения информативный сигнал кремниевый The operating principle of single-junction strain transistors is discussed. It is shown that the strain sensitivity of a single-junction transistor with a controlled p-n junction is an order of magnitude higher than that of a simple single-junction transistor. It is concluded that the proposed pressure transducer with a frequency output is of practical interest for the creation of devices with increased requirements for noise immunity and measurement accuracy of the information signal. Рассмотрен принцип работы однопереходных тензотранзисторов. Показано, что тензочувствительность однопереходного транзистора с управляющим р-n-переходом на порядок выше, чем у простого однопереходного транзистора. Сделан вывод о том, что предложенный преобразователь давления с частотным выходом имеет практический интерес для создания устройств с повышенными требованиями к помехозащищенности и точности измерения информационного сигнала. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.48 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2004): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 48-51 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 48-51 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.48/1062 Copyright (c) 2004 Babichev G. G., Gavrilyuk G. I., Zinchenko E. A., Kozlovsky S. I., Romanov V. A., Sharan N. N. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | преобразователь давления тензотранзистор тензочувствительность управляющий р-n-переход помехозащищенность точность измерения информативный сигнал кремниевый Babichev, G. G. Gavrilyuk, G. I. Zinchenko, E. A. Kozlovsky, S. I. Romanov, V. A. Sharan, N. N. Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов |
| title | Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов |
| title_alt | Frequency-output pressure transducer based on single-junction strain transistors |
| title_full | Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов |
| title_fullStr | Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов |
| title_full_unstemmed | Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов |
| title_short | Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов |
| title_sort | преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов |
| topic | преобразователь давления тензотранзистор тензочувствительность управляющий р-n-переход помехозащищенность точность измерения информативный сигнал кремниевый |
| topic_facet | pressure transducer strain transistor strain sensitivity control p-n junction noise immunity measurement accuracy output signal silicon преобразователь давления тензотранзистор тензочувствительность управляющий р-n-переход помехозащищенность точность измерения информативный сигнал кремниевый |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.48 |
| work_keys_str_mv | AT babichevgg frequencyoutputpressuretransducerbasedonsinglejunctionstraintransistors AT gavrilyukgi frequencyoutputpressuretransducerbasedonsinglejunctionstraintransistors AT zinchenkoea frequencyoutputpressuretransducerbasedonsinglejunctionstraintransistors AT kozlovskysi frequencyoutputpressuretransducerbasedonsinglejunctionstraintransistors AT romanovva frequencyoutputpressuretransducerbasedonsinglejunctionstraintransistors AT sharannn frequencyoutputpressuretransducerbasedonsinglejunctionstraintransistors AT babichevgg preobrazovatelʹdavleniâsčastotnymvyhodomnaosnoveodnoperehodnyhtenzotranzistorov AT gavrilyukgi preobrazovatelʹdavleniâsčastotnymvyhodomnaosnoveodnoperehodnyhtenzotranzistorov AT zinchenkoea preobrazovatelʹdavleniâsčastotnymvyhodomnaosnoveodnoperehodnyhtenzotranzistorov AT kozlovskysi preobrazovatelʹdavleniâsčastotnymvyhodomnaosnoveodnoperehodnyhtenzotranzistorov AT romanovva preobrazovatelʹdavleniâsčastotnymvyhodomnaosnoveodnoperehodnyhtenzotranzistorov AT sharannn preobrazovatelʹdavleniâsčastotnymvyhodomnaosnoveodnoperehodnyhtenzotranzistorov |