Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии
The design and fabrication technology of Gunn diodes for use in EHF therapy are described. The operating frequency is 42 GHz, with an output power of over 1 mW at an operating current of less than 120 mA. The diodes are fabricated from n–n+ type GaAs epitaxial structures. The n-layer thickness is 2....
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.55 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1865304757319499777 |
|---|---|
| author | Ivanov, V. N. Kovtonjuk, V. M. Raevskaya, N. S. |
| author_facet | Ivanov, V. N. Kovtonjuk, V. M. Raevskaya, N. S. |
| author_sort | Ivanov, V. N. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-15T19:36:50Z |
| description | The design and fabrication technology of Gunn diodes for use in EHF therapy are described. The operating frequency is 42 GHz, with an output power of over 1 mW at an operating current of less than 120 mA. The diodes are fabricated from n–n+ type GaAs epitaxial structures. The n-layer thickness is 2.4–2.6 μm, and the carrier concentration is (8...9)×1015 cm–3. A multilayer Ge–Au–TiB2–Au contact was used as the cathode. The formation of an ohmic contact on the surface of the n-layer creates a heterogeneity that promotes the formation of a domain at this location. |
| first_indexed | 2026-05-16T01:00:37Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1165 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-16T01:00:37Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-11652026-05-15T19:36:50Z Development of the design and manufacturing technology for Gunn diodes for EHF therapy Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии Ivanov, V. N. Kovtonjuk, V. M. Raevskaya, N. S. EHF therapy Gunn diode gallium arsenide КВЧ-терапия диод Ганна арсенид галлия The design and fabrication technology of Gunn diodes for use in EHF therapy are described. The operating frequency is 42 GHz, with an output power of over 1 mW at an operating current of less than 120 mA. The diodes are fabricated from n–n+ type GaAs epitaxial structures. The n-layer thickness is 2.4–2.6 μm, and the carrier concentration is (8...9)×1015 cm–3. A multilayer Ge–Au–TiB2–Au contact was used as the cathode. The formation of an ohmic contact on the surface of the n-layer creates a heterogeneity that promotes the formation of a domain at this location. Описаны конструкция и технология изготовления диодов Ганна для применения в КВЧ-терапии. Рабочая частота 42 ГГц, выходная мощность более 1 мВт при рабочем токе меньше 120 мА. Диоды изготовлены из эпитаксиальных структур GaAs типа n-n+. Толщина n-слоя 2,4-2,6 мкм, концентрация носителей (8...9)·1015 см–3. В качестве катода применялся многослойный контакт Ge–Au–TiB2–Au. Формирование омического контакта на поверхность n-слоя создает неоднородность, которая способствует зарождению в этом месте домена. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.55 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2004): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 55-57 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 55-57 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.55/1065 Copyright (c) 2004 V. N. Ivanov, V. M. Kovtonjuk, N. S. Raevskaya http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | КВЧ-терапия диод Ганна арсенид галлия Ivanov, V. N. Kovtonjuk, V. M. Raevskaya, N. S. Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии |
| title | Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии |
| title_alt | Development of the design and manufacturing technology for Gunn diodes for EHF therapy |
| title_full | Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии |
| title_fullStr | Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии |
| title_full_unstemmed | Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии |
| title_short | Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии |
| title_sort | разработка конструкции и технологии изготовления диодов ганна для квч-терапии |
| topic | КВЧ-терапия диод Ганна арсенид галлия |
| topic_facet | EHF therapy Gunn diode gallium arsenide КВЧ-терапия диод Ганна арсенид галлия |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.55 |
| work_keys_str_mv | AT ivanovvn developmentofthedesignandmanufacturingtechnologyforgunndiodesforehftherapy AT kovtonjukvm developmentofthedesignandmanufacturingtechnologyforgunndiodesforehftherapy AT raevskayans developmentofthedesignandmanufacturingtechnologyforgunndiodesforehftherapy AT ivanovvn razrabotkakonstrukciiitehnologiiizgotovleniâdiodovgannadlâkvčterapii AT kovtonjukvm razrabotkakonstrukciiitehnologiiizgotovleniâdiodovgannadlâkvčterapii AT raevskayans razrabotkakonstrukciiitehnologiiizgotovleniâdiodovgannadlâkvčterapii |